2.1.1 Grundlagen: F = q·E und Feldlinien

Alles beginnt mit der Wechselwirkung zweier Punktladungen. Zwei Ladungen q1q_1 und q2q_2 im Abstand rr üben aufeinander die Coulomb-Kraft F12=14πε0q1q2r2r^\vec{F}_{12} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{q_1\,q_2}{r^2}\,\hat{r} aus; dabei ist r^\hat{r} der Einheitsvektor von der Quelle zur zweiten Ladung. Gleiche Vorzeichen stossen sich ab (positives F\vec{F} in Richtung r^\hat{r}), ungleiche ziehen sich an.

Statt für jede Testladung einzeln die Coulomb-Summe auszuwerten, führt man das elektrische Feld E=F/q\vec{E} = \vec{F}/q ein. Das Feld ist eine Eigenschaft des Raumes, unabhängig davon, ob gerade eine Probeladung vorliegt. Eine Ladung qq im Feld erfährt automatisch die Kraft F=qE\vec{F} = q\,\vec{E}. Per Konvention zeigt E\vec{E} in die Richtung, in die eine positive Probeladung gedrückt würde.

Die Feldstärke E|\vec{E}| misst die Kraft pro Einheitsladung. Einheit: [E]=N/C=V/m[E] = \mathrm{N/C} = \mathrm{V/m}. Für eine einzelne Punktladung folgt aus Coulomb E(r)=14πε0Qr2r^\vec{E}(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{Q}{r^2}\,\hat{r}: radial nach aussen für Q>0Q>0, einwärts für Q<0Q<0.

Sind mehrere Ladungen gleichzeitig vorhanden, addieren sich ihre Felder vektoriell. Dieses Superpositionsprinzip ist linear in den Quellen und reduziert das N-Ladungs-Problem auf N Einzelrechnungen, die anschliessend vektoriell summiert werden. Bei kontinuierlichen Verteilungen geht die Summe in ein Integral über (siehe 2.1.8 für einen geladenen Ring).

Feldlinien veranschaulichen den Feldverlauf grafisch. Sie starten auf positiven und enden auf negativen Ladungen, stehen senkrecht auf Leiteroberflächen, und ihre Dichte ist proportional zu E|\vec{E}|. Feldlinien schneiden sich nie; sonst wäre die Feldrichtung am Schnittpunkt mehrdeutig.

!!!
Coulomb-Gesetz (Kraft zwischen zwei Punktladungen)
F12=14πε0q1q2r2r^\vec{F}_{12} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{q_1\,q_2}{r^2}\,\hat{r}
r^: Einheitsvektor von Ladung 1 zu Ladung 2. Gleiches Vorzeichen: Abstoßung; ungleich: Anziehung.\hat{r}\text{: Einheitsvektor von Ladung 1 zu Ladung 2. Gleiches Vorzeichen: Abstoßung; ungleich: Anziehung.}
!!!
Kraft auf ein Teilchen
F=qE\vec{F} = q \, \vec{E}
[F]=N,    [E]=V/m[F] = \mathrm{N},\;\; [E] = \mathrm{V/m}
!!!
Definition der elektrischen Feldstärke
E=Fq\vec{E} = \frac{\vec{F}}{q}
[E]=N/C=V/m[E] = \mathrm{N/C} = \mathrm{V/m}
!!!
Homogenes Feld (Plattenkondensator, Vorschau)
E=Ud|\vec{E}| = \frac{U}{d}
Richtung: n^ senkrecht zu den Platten, vom + zum  Pol. Vollsta¨ndige Herleitung in Abschnitt 2.1.3.\text{Richtung: }\hat{n}\text{ senkrecht zu den Platten, vom }+\text{ zum }-\text{ Pol. Vollständige Herleitung in Abschnitt 2.1.3.}
!!!
Superpositionsprinzip (diskret)
E(r)=iEi(r)=14πε0iqiri2r^i\vec{E}(\vec{r}) = \sum_i \vec{E}_i(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum_i \frac{q_i}{r_i^2}\,\hat{r}_i
ri=rri,r^i=(rri)/rir_i = |\vec{r} - \vec{r}_i|,\quad \hat{r}_i = (\vec{r} - \vec{r}_i)/r_i
!!!
Potentielle Energie (zwei Punktladungen)
Epot=14πε0QqrE_{\text{pot}} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{Q\,q}{r}
Energie zweier Punktladungen im Abstand r\text{Energie zweier Punktladungen im Abstand } r
1.0
1.0
Abb. 1: Elektrisches Feld einer positiven Punktladung

Für eine negative Ladung kehrt sich die Feldrichtung um: die Feldlinien enden auf der Ladung statt von ihr auszugehen. Der Betrag E|\vec{E}| ist identisch zur positiven Ladung gleicher Stärke. Eine positive Probeladung wird angezogen (F\vec{F} zeigt zur Ladung).

Negative Punktladung
E=14πε0qr2r^mit q<0\vec{E} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q}{r^2}\hat{r} \quad \text{mit } q < 0
q<0Feld zeigt einwa¨rtsq < 0 \Rightarrow \text{Feld zeigt einwärts}
1.0
1.0
Abb. 2: Negative Ladung, Feldlinien enden an der Ladung

Sitzt eine starke Ladung nicht im Koordinatenursprung, strahlt das Feld radial von der Ladungsposition aus. Die 1r2\frac{1}{r^2}-Abhängigkeit gilt relativ zur Ladung, nicht zum Ursprung. Dreifache Ladung erzeugt dreifache Feldstärke.

Ladungen ausserhalb des Ursprungs
E=q(rr0)4πε0rr03\vec{E} = \frac{q(\vec{r} - \vec{r}_0)}{4\pi\varepsilon_0 |\vec{r} - \vec{r}_0|^3}
Eqαfache Ladung q=αfache Feldsta¨rke E fu¨r ein αR|\vec{E}| \propto q \Rightarrow \alpha -fache \ Ladung \ q = \alpha -fache \ Feldstärke \ |\vec{E}| \ \text{für ein } \alpha \in \mathbb{R}
1.0
1.5
Abb. 3: Starke Ladung (q=+3q = +3) off-center bei (1.5, 0)
Notation Notation: E-Feld
Wir: E\vec{E} (Pfeil).
Auch üblich:
E\mathbf{E} (fett, Tipler)
EE (Betrag, wenn Richtung klar)
E(r)\vec{E}(\vec{r}) mit expliziter Ortsabhängigkeit
Notation Notation: Coulomb-Konstante
Wir: 14πε0\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}.
Auch üblich: kk, kek_e, kCk_\text{C} (oft in US-Lehrbüchern).
Zahlenwert: 8,99×109Nm2/C2\approx 8{,}99\times 10^9\,\mathrm{N\,m^2/C^2}.
Notation Notation: Einheitsvektor
Wir: r^\hat{r} (Radial), n^\hat{n} (Normale), s^\hat{s} (Weg).
Auch üblich: e^r\hat{e}_r, er\vec{e}_r.
Definition Feldstärke E
E=Fq\vec{E} = \frac{\vec{F}}{q}: Kraft pro Einheitsladung. Einheit: V/m=N/C\mathrm{V/m} = \mathrm{N/C}.
Definition Elementarladung e
Kleinstmögliche freie Ladung. e=1,60×1019Ce = 1{,}60\times 10^{-19}\,\mathrm{C}. Proton trägt +e+e, Elektron e-e.
Formel Schlüsselformel
F=qE\vec{F} = q \, \vec{E}
Newtonsches Aktionsgesetz für elektrische Kräfte.
Formel Coulomb-Konstante (Zahlenwert)
14πε08,99×109Nm2C2\frac{1}{4\pi\varepsilon_0} \approx 8{,}99\times 10^9\,\tfrac{\mathrm{N\,m^2}}{\mathrm{C^2}}
Abgeleitet aus ε08,854×1012F/m\varepsilon_0 \approx 8{,}854\times 10^{-12}\,\mathrm{F/m}.
Merke Merke: Feldlinien gehen von + nach -, stehen senkrecht zur Oberfläche, schneiden sich nie.
Querverweis → Magnetfeld 3.1

2.1.2 Satz von Gauss

Der Satz von Gauss verknüpft den elektrischen Fluss Φel\Phi_{\text{el}} durch eine beliebige geschlossene Fläche mit der von dieser Fläche eingeschlossenen Ladung Qeingeschl.Q_{\text{eingeschl.}}. Zentrale Aussage: der Fluss ist proportional zur eingeschlossenen Ladung, unabhängig von Form, Grösse oder Lage der Fläche.

Der elektrische Fluss durch eine Fläche ist definiert als das Flächenintegral Φel=AEdA=AEdAcosϑ\Phi_{\text{el}} = \int_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \int_A |\vec{E}|\,|d\vec{A}|\cos\vartheta. Anschaulich zählt er die Anzahl Feldlinien, die durch die Fläche treten, wobei Pfeilrichtung und Flächennormale ein Vorzeichen festlegen.

Warum gilt Gauss? Aus dem 1r2\frac{1}{r^2}-Abfall einer Punktladung folgt, dass die Dichte der Feldlinien E1/r2\propto |\vec{E}| \propto 1/r^2 auf einer Kugelschale um die Ladung liegt, während die Schalenfläche r2\propto r^2 wächst. Die beiden Potenzen heben sich gegenseitig auf, so dass die Gesamtzahl der Linien durch jede geschlossene Hülle um die Ladung gleich bleibt. Für eine Kugel vom Radius rr um +Q+Q liefert der Test direkt EdA=Q4πε0r24πr2=Q/ε0\oint \vec{E}\cdot d\vec{A} = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}\cdot 4\pi r^2 = Q/\varepsilon_0, genau die Gauss-Aussage.

Praktisch nützt Gauss nur, wenn die Symmetrie so stark ist, dass E|\vec{E}| auf der gewählten Gauss-Fläche konstant oder überall Null ist; dann fällt das Integral auf eine Multiplikation zusammen. Dasselbe Feld lässt sich auch durch die Verschiebungsflussdichte D=ε0E\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E} beschreiben, die in Materie (Dielektrika) mit E\vec{E} nicht mehr identisch ist und die Einheit C/m2\mathrm{C/m^2} trägt.

Elektrischer Fluss (Definition)
Φel=AEdA=AEdAcosϑ\Phi_{\text{el}} = \int_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \int_A |\vec{E}|\,|d\vec{A}|\cos\vartheta
ϑ: Winkel zwischen E und der Fla¨chennormale n^.\vartheta\text{: Winkel zwischen }\vec{E}\text{ und der Flächennormale }\hat{n}.
Satz von Gauss
Φel=AEdA=Qeingeschl.ε0\Phi_{\text{el}} = \oint_A \vec{E} \cdot d\vec{A} = \frac{Q_{\text{eingeschl.}}}{\varepsilon_0}
Φel ist unabha¨ngig von Form und Gro¨ße der geschlossenen Gauss-Fla¨che.\Phi_{\text{el}}\text{ ist unabhängig von Form und Größe der geschlossenen Gauss-Fläche.}
Verschiebungsflussdichte
D=ε0E\vec{D} = \varepsilon_0 \, \vec{E}
[D]=C/m2.  Im Vakuum proportional zu E;in Materie durch Polarisation modifiziert.[D] = \mathrm{C/m^2}.\; \text{Im Vakuum proportional zu }\vec{E}; \text{in Materie durch Polarisation modifiziert.}
1.0
1.8
Abb. 4: Gauss'scher Satz, Fluss durch eine geschlossene Fläche
Notation Notation: ε₀
Wir: ε0\varepsilon_0 (kursives italic-ε).
Auch üblich: ϵ0\epsilon_0 (andere Glyphe, gleicher Wert).
Wert: 8,854×1012F/m\approx 8{,}854\times 10^{-12}\,\mathrm{F/m}.
Notation Notation: Fluss
Wir: Φel\Phi_{\text{el}} (gross-Phi, Index el).
Auch üblich: ΦE\Phi_E, Ψ\Psi, nur Φ\Phi.
Später (Kap. 3): magnetischer Fluss Φmag\Phi_{\text{mag}}.
Formel Satz von Gauss
AEdA=Qeingeschl.ε0\oint_A \vec{E} \cdot d\vec{A} = \frac{Q_{\text{eingeschl.}}}{\varepsilon_0}
Zentrale Integralform: Fluss gleich eingeschlossene Ladung durch ε0\varepsilon_0.
Definition ε₀
Elektrische Feldkonstante (Vakuum-Permittivität). ε08,854×1012F/m\varepsilon_0 \approx 8{,}854 \times 10^{-12} \, \mathrm{F/m}.
Merke Symmetrie zuerst! Gauss funktioniert nur, wenn E\vec{E} auf der Fläche konstant oder parallel zur Normalen ist.

2.1.3 Zusammenhang Feldstärke & Spannung

Die Spannung UU zwischen zwei Punkten AA und BB ist das Wegintegral des elektrischen Feldes entlang eines verbindenden Pfades: U=ABEdsU = \int_A^B \vec{E}\cdot d\vec{s}. Bei konstantem Feld (z.B. zwischen zwei parallelen Platten) vereinfacht sich das zu U=EdU = E\,d, wobei dd der Plattenabstand und EE die Feldstärke ist.

Physikalisch ist UU die Arbeit pro Ladung, die das Feld beim Verschieben einer Testladung von AA nach BB verrichtet: U=W/qU = W/q. Deshalb passt die Einheit [U]=V=J/C[U] = \mathrm{V} = \mathrm{J/C} genau zu [E][d]=(V/m)m=V[E]\cdot[d] = (\mathrm{V/m})\cdot\mathrm{m} = \mathrm{V}.

Das elektrostatische Feld ist konservativ: der Wert des Wegintegrals hängt nur von den Endpunkten ab, nicht vom gewählten Pfad. Daher lässt sich jedem Raumpunkt eine skalare Grösse, das elektrische Potential φ(r)\varphi(\vec{r}), zuordnen, und die Spannung ist die Differenz U=φ(A)φ(B)U = \varphi(A) - \varphi(B). Umgekehrt ergibt sich das Feld als negativer Gradient: E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi. Diesen Zusammenhang erweitern wir in Abschnitt 2.2.

Daraus folgt die Vorzeichen-Konvention: E\vec{E} zeigt in Richtung abnehmenden Potentials. Eine positive Testladung rutscht also in Richtung der Feldlinien, quasi „bergab" in der Potentiallandschaft; eine negative entgegen.

Spannung als Wegintegral
U=ABEds=φ(A)φ(B)U = \int_A^B \vec{E} \cdot d\vec{s} = \varphi(A) - \varphi(B)
Spannung zwischen zwei Punkten; Wert unabha¨ngig vom gewa¨hlten Pfad.\text{Spannung zwischen zwei Punkten; Wert unabhängig vom gewählten Pfad.}
Homogenes Feld (z.B. Plattenkondensator)
U=EdE=UdU = E \, d \quad \Leftrightarrow \quad E = \frac{U}{d}
Gilt nur fu¨r konstantes E parallel zu ds.\text{Gilt nur für konstantes }\vec{E}\text{ parallel zu }d\vec{s}.
1.0
1.00
Abb. 5: Homogenes E-Feld zwischen zwei Platten
Notation Notation: Potential & Spannung
Wir: φ(r)\varphi(\vec{r}) für das Potential (Skalarfeld), U=φ(A)φ(B)U = \varphi(A)-\varphi(B) für die Spannung.
Tipler: VV statt φ\varphi.
Auch üblich: ϕ\phi (andere Glyphe).
Bei uns: VV nur als Einheit Volt.
Formel E ↔ U
U=ABEdsU = \int_A^B \vec{E} \cdot d\vec{s}
Allgemeine Form. Im homogenen Feld: U=EdU = E\,d.
Merke Merke: E\vec{E} zeigt vom hohen zum tiefen Potential, also „bergab" in der Potentiallandschaft.

2.1.4 Nichtleitende Kugel

Eine gleichmässig geladene nichtleitende Vollkugel (Gesamtladung QQ, Radius RR, konstante Raumladungsdichte ρ=3Q4πR3\rho = \frac{3Q}{4\pi R^3}) verhält sich ausserhalb wie eine Punktladung. Innerhalb wächst das Feld linear mit rr, weil nur die Ladung innerhalb der Gauss-Sphäre zum Fluss beiträgt.

Die sphärische Symmetrie erzwingt, dass E\vec{E} überall radial zeigt und E|\vec{E}| nur von rr abhängt. Als Gauss-Fläche wählt man daher eine konzentrische Kugel vom Radius rr; auf ihr ist E\vec{E} parallel zu dAd\vec{A} und konstant, das Integral reduziert sich auf E(r)4πr2=Qeingeschl.(r)/ε0E(r)\cdot 4\pi r^2 = Q_{\text{eingeschl.}}(r)/\varepsilon_0.

Für r<Rr<R enthält die Gauss-Sphäre nur den Volumenanteil Qeingeschl.(r)=Q(r/R)3Q_{\text{eingeschl.}}(r) = Q\,(r/R)^3. Einsetzen ergibt E(r)=Qr4πε0R3E(r) = \frac{Qr}{4\pi\varepsilon_0 R^3}, linear in rr. Für r>Rr>R liegt die gesamte Ladung QQ innerhalb, also E(r)=Q4πε0r2E(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}. Die beiden Äste treffen sich stetig bei r=Rr=R.

Nichtleitende Kugel (aussen)
E(r)=Q4πε0r2fu¨r>RE(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r^2} \quad \text{für } r > R
Verha¨lt sich wie eine Punktladung im Zentrum.\text{Verhält sich wie eine Punktladung im Zentrum.}
Nichtleitende Kugel (innen)
E(r)=Qr4πε0R3fu¨r<RE(r) = \frac{Q \, r}{4\pi\varepsilon_0 \, R^3} \quad \text{für } r < R
E wa¨chst linear mit r;Maximum direkt an der Oberfla¨che r=R.E\text{ wächst linear mit }r; \text{Maximum direkt an der Oberfläche } r=R.
1.0
1.5
Abb. 6: Nichtleitende Kugel, E(r) innen und aussen
Definition Raumladungsdichte ρ
ρ=dQdV\rho = \frac{dQ}{dV}. Einheit: C/m3\mathrm{C/m^3}. Bei homogener Vollkugel: ρ=3Q4πR3\rho = \frac{3Q}{4\pi R^3}.
Formel Volumenverhältnis
Qenc(r)=Q(rR)3Q_{\text{enc}}(r) = Q \left(\frac{r}{R}\right)^3
Nur die Ladung innerhalb rr zählt für das Feld am Radius rr.
Definition Nichtleiter
Isolator: Ladungsträger sitzen fest im Volumen, keine freie Beweglichkeit.

2.1.5 Leitende Kugel

In einer leitenden Kugel sitzen die Überschussladungen ausschliesslich auf der Oberfläche. Eine Gauss-Sphäre mit r<Rr<R umschliesst daher keine Ladung; Gauss liefert sofort EdA=0\oint \vec{E}\cdot d\vec{A} = 0, und wegen der Kugelsymmetrie folgt E(r)=0\vec{E}(\vec{r}) = \vec{0} im gesamten Inneren. Für r>Rr>R sieht man den Leiter dagegen wie eine Punktladung mit Gesamtladung QQ.

Warum verschwindet das Innenfeld? Im Leiter sind Ladungsträger frei beweglich. Angenommen, irgendwo im Volumen wäre E0\vec{E}\neq\vec{0}: dann wirkte eine Kraft F=qE\vec{F} = q\vec{E} auf jeden beweglichen Träger und setzte einen Strom in Gang. Im elektrostatischen Gleichgewicht fliessen aber keine Ströme; also muss E=0\vec{E}=\vec{0} überall im Inneren gelten. Dieses Argument erzwingt die Oberflächenverteilung der Ladung.

Direkt ausserhalb der Oberfläche ist E\vec{E} senkrecht zur Oberfläche gerichtet (tangentiale Komponenten wären wieder mit einem Oberflächenstrom verbunden) und hat den Betrag En=σ/ε0E_n = \sigma/\varepsilon_0, wobei σ\sigma die lokale Flächenladungsdichte ist. Der Sprung von 00 auf σ/ε0\sigma/\varepsilon_0 beim Passieren der Oberfläche ist die allgemeine Diskontinuität der Normalkomponente des E-Feldes an jeder geladenen Fläche.

Leitende Kugel (aussen)
E(r)=Q4πε0r2fu¨r>RE(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r^2} \quad \text{für } r > R
Identisch zur nichtleitenden Kugel.\text{Identisch zur nichtleitenden Kugel.}
Leitende Kugel (innen)
E(r)=0fu¨r<R\vec{E}(\vec{r}) = \vec{0} \quad \text{für } r < R
Kein Feld im Innern eines Leiters im elektrostatischen Gleichgewicht.\text{Kein Feld im Innern eines Leiters im elektrostatischen Gleichgewicht.}
E direkt ausserhalb einer Leiteroberfläche
En=σε0E_n = \frac{\sigma}{\varepsilon_0}
Senkrecht zur Oberfla¨che; σ ist die lokale Fla¨chenladungsdichte.\text{Senkrecht zur Oberfläche; }\sigma\text{ ist die lokale Flächenladungsdichte.}
1.0
1.5
Abb. 7: Leitende Kugel, E = 0 innen
Merke Elektrostatisches Gleichgewicht: Einnen=0E_{\text{innen}} = 0 im Leiter; sonst würden sich Ladungen weiter verschieben.
Formel Oberflächen-E
En=σ/ε0E_n = \sigma/\varepsilon_0
Normalkomponente direkt ausserhalb eines Leiters.
Definition Leiter
Material mit frei beweglichen Ladungsträgern (Metall, Elektrolyt).

2.1.6 Unendlicher Draht

Ein unendlich langer Draht mit Linienladungsdichte λ=QL\lambda = \frac{Q}{L} (Einheit C/m\mathrm{C/m}) besitzt entlang seiner Länge keine ausgezeichnete Position; nur der Abstand rr_\perp zur Drahtachse kann ins Spiel kommen. Die zylindrische Symmetrie erzwingt, dass E\vec{E} überall radial zur Achse zeigt und E|\vec{E}| nur von rr_\perp abhängt.

Als Gauss-Fläche passt daher ein koaxialer Zylinder mit Radius rr und Länge LL. Die beiden Stirndeckel tragen nichts bei, weil E\vec{E} dort tangential zu dAd\vec{A} liegt; nur die Mantelfläche 2πrL2\pi r L zählt.

Gauss liefert Φel=E2πrL=λLε0\Phi_{\text{el}} = E\cdot 2\pi r L = \frac{\lambda L}{\varepsilon_0} und nach EE aufgelöst E(r)=λ2πε0rE(r) = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0\,r}. Das Feld fällt mit 1r\frac{1}{r} ab, nicht mit 1r2\frac{1}{r^2}. Grund: die Gauss-Fläche skaliert in dieser Geometrie nur linear mit rr, nicht quadratisch wie bei der Kugel.

Unendlicher Draht
E(r)=λ2πε0rE(r) = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 \, r}
λ=Linienladungsdichte [C/m];  E1r\lambda = \text{Linienladungsdichte } [\mathrm{C/m}]; \; E \propto \frac{1}{r}
1.0
1.0
Abb. 8: Unendlicher Draht, E(r)1rE(r) \propto \frac{1}{r}
Definition Linienladungsdichte λ
λ=QL\lambda = \frac{Q}{L}. Einheit: C/m\mathrm{C/m}. Ladung pro Länge eines 1D-Objekts.
Formel Draht
E(r)=λ2πε0rE(r) = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 \, r}
1r\frac{1}{r}-Abfall statt 1r2\frac{1}{r^2}.
Formel Alternativform
E=14πε02λrE = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{2\lambda}{r_\perp}
Gleiche Formel, mit Coulomb-Konstante vorne geschrieben (so in Tipler).

2.1.7 Unendliche Platte

Eine unendlich ausgedehnte Platte mit Flächenladungsdichte σ=QA\sigma = \frac{Q}{A} (C/m2\mathrm{C/m^2}) erzeugt ein betragsmässig konstantes, vom Abstand zur Platte unabhängiges E-Feld. Als Gauss-Fläche wählt man eine Pillendose (Zylinder) senkrecht zur Platte mit kleinen Deckeln der Fläche AA; die Mantelfläche trägt nichts bei, weil E\vec{E} dort parallel zur Plattenoberfläche verläuft.

Damit liefert Gauss Φel=2EA=σA/ε0\Phi_{\text{el}} = 2EA = \sigma A/\varepsilon_0 (beide Deckel beitragen), also E=σ/(2ε0)E = \sigma/(2\varepsilon_0). Die Fläche AA kürzt sich heraus, ebenso der Abstand; ein anschaulicher Grund ist, dass aus jeder Entfernung dieselbe scheinbar konstante Ladungswolke zu sehen ist.

Beim Plattenkondensator liegen zwei Platten mit +σ+\sigma und σ-\sigma parallel. Nach dem Superpositionsprinzip überlagern sich ihre Einzelfelder: im Zwischenraum addieren sich die Beiträge zu E=σ/ε0E = \sigma/\varepsilon_0, aussen heben sie sich gegenseitig weg (E=0E=0). So entsteht das homogene Innenfeld, das in Abb. 5 zu sehen ist.

Beim Überqueren einer geladenen Fläche springt die Normalkomponente von E\vec{E} um ΔEn=σ/ε0\Delta E_n = \sigma/\varepsilon_0. Genau diese Diskontinuität sieht man an der Einzelplatte (Sprung von σ/(2ε0)-\sigma/(2\varepsilon_0) auf +σ/(2ε0)+\sigma/(2\varepsilon_0)) und an der Leiteroberfläche in 2.1.5 (Sprung von 00 auf σ/ε0\sigma/\varepsilon_0).

Unendliche Platte
E=σ2ε0E = \frac{\sigma}{2\varepsilon_0}
σ: Fla¨chenladungsdichte. E konstant, abstandsunabha¨ngig.\sigma\text{: Flächenladungsdichte. }E\text{ konstant, abstandsunabhängig.}
Diskontinuität der Normalkomponente
ΔEn=En,+En,=σε0\Delta E_n = E_{n,+} - E_{n,-} = \frac{\sigma}{\varepsilon_0}
Sprung der Normalkomponente von E beim U¨berqueren einer geladenen Fla¨che.\text{Sprung der Normalkomponente von }\vec{E}\text{ beim Überqueren einer geladenen Fläche.}
1.0
1.0
Abb. 9: Unendliche Platte, homogenes E-Feld
Definition Flächenladungsdichte σ
σ=QA\sigma = \frac{Q}{A}. Einheit: C/m2\mathrm{C/m^2}. Ladung pro Flächeneinheit.
Formel Geladene Kreisscheibe (auf Achse)
Ez=sgn(z)σ2ε0 ⁣(1(1+r2z2)1/2)E_z = \operatorname{sgn}(z)\,\frac{\sigma}{2\varepsilon_0}\!\left(1-\left(1+\tfrac{r^2}{z^2}\right)^{-1/2}\right)
Grenzfälle: rr\to\infty → unendliche Platte σ/(2ε0)\sigma/(2\varepsilon_0); zrz\gg r → Punktladung.
Merke Überraschend: EE einer unendlichen Platte ist abstandsunabhängig; gilt im Nahfeld näherungsweise auch für endliche Platten.

2.1.8 Ringladung

Ein Ring mit Radius aa in der xyxy-Ebene und Gesamtladung QQ hat eine Symmetrieachse (die zz-Achse) aber keine Kugel- oder Zylindersymmetrie. Auf der Achse heben sich ExE_x und EyE_y aus Symmetriegründen paarweise auf, und nur die Komponente Ez(z)E_z(z) bleibt übrig.

Gauss ist hier nicht direkt anwendbar: es existiert keine Fläche, auf der E|\vec{E}| überall konstant wäre. Stattdessen nutzt man das Superpositionsprinzip in seiner kontinuierlichen Form und integriert die Coulomb-Beiträge aller Ladungselemente dq=λdldq = \lambda\,dl auf.

Die Beiträge der gegenüberliegenden Ringpunkte addieren sich zu einer zz-Komponente dEz=14πε0dqz(a2+z2)3/2dE_z = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{dq\,z}{(a^2+z^2)^{3/2}}. Nach Aufintegrieren über den Ring folgt Ez(z)=Qz4πε0(a2+z2)3/2E_z(z) = \frac{Q\,z}{4\pi\varepsilon_0\,(a^2+z^2)^{3/2}}. Das Maximum liegt bei zmax=a/2z_{\max} = a/\sqrt{2}; für zaz\gg a geht die Formel in das Punktladungsfeld Q4πε0z2\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 z^2} über.

Dieses Ergebnis gilt nur auf der Symmetrieachse. Abseits der Achse hätte E\vec{E} zusätzlich radiale Komponenten in der Ringebene und würde ein vollständiges 2D-Integral erfordern.

Superpositionsprinzip (kontinuierlich)
E(r)=14πε0dqr2r^\vec{E}(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int \frac{dq}{r'^{\,2}}\,\hat{r}'
dq=ρdV (Volumen),  σdA (Fla¨che),  λdl (Linie).dq = \rho\,dV\text{ (Volumen)},\;\sigma\,dA\text{ (Fläche)},\;\lambda\,dl\text{ (Linie)}.
Ringladung: z-Komponente auf der Achse
Ez(z)=Qz4πε0(a2+z2)3/2E_z(z) = \frac{Q \, z}{4\pi\varepsilon_0 \, (a^2 + z^2)^{3/2}}
Maximum bei z=a/2.\text{Maximum bei } z = a/\sqrt{2}.
1.0
1.5
Abb. 10: Ringladung, Ez(z)E_z(z) auf der zz-Achse
Merke Merke: Ohne Symmetrie → kein Gauss. Dann muss integriert werden.
Formel Maximum
zmax=a2z_{\max} = \frac{a}{\sqrt{2}}
Position des stärksten E-Feldes auf der zz-Achse.

2.2.1 Potentialdifferenz

Die Potentialdifferenz (Spannung) zwischen zwei Punkten ist das negative Wegintegral des elektrischen Feldes: UP0P=φ(P)φ(P0)=P0PEdsU_{P_0 P} = \varphi(P) - \varphi(P_0) = -\int_{P_0}^{P}\vec{E}\cdot d\vec{s}. Eine positive Testladung verliert potentielle Energie, wenn sie mit dem Feld (bergab) bewegt wird, und gewinnt Energie, wenn sie gegen das Feld bewegt wird.

Das Minus-Zeichen im Integral ist kein Zufall: das elektrische Feld verrichtet die Arbeit W=qEdsW = q\int\vec{E}\cdot d\vec{s} an der Ladung, so dass die von der Ladung gespeicherte potentielle Energie genau entgegengesetzt zunimmt. Teilen durch qq liefert die Potentialdifferenz als Arbeit pro Ladungseinheit: Wq=Δφ\frac{W}{q} = -\Delta\varphi.

So betrachtet ist φ(P)\varphi(P) die Energie, die nötig wäre, um eine Einheitsladung vom Bezugspunkt P0P_0 nach PP zu transportieren, wenn man gegen das Feld arbeitet. Die Einheit 1V=1J/C1\,\mathrm{V} = 1\,\mathrm{J/C} unterstreicht das: ein Volt ist genau ein Joule pro Coulomb.

Für ein stationäres (zeitunabhängiges) Feld hängt das Wegintegral nur von Start- und Endpunkt ab, nicht vom Pfad dazwischen. Dieses Faktum (behandelt in 2.2.4) ist die Voraussetzung dafür, dass φ\varphi überhaupt als eindeutige Funktion des Ortes existieren kann.

Potentialdifferenz
UP0P=φ(P)φ(P0)=P0PEdsU_{P_0 P} = \varphi(P) - \varphi(P_0) = -\int_{P_0}^{P} \vec{E} \cdot d\vec{s}
=Ecosαds.  α: Winkel zwischen E und ds.= -\int E\cos\alpha\,ds.\;\alpha\text{: Winkel zwischen }\vec{E}\text{ und }d\vec{s}.
Arbeit-Potential-Beziehung
Δφ=φ(P)φ(P0)=Wq\Delta\varphi = \varphi(P) - \varphi(P_0) = -\frac{W}{q}
W: vom Feld an der Ladung q verrichtete Arbeit von P0 nach P.W\text{: vom Feld an der Ladung }q\text{ verrichtete Arbeit von }P_0\text{ nach }P.
1.0
2.2
Abb. 11: Potentialdifferenz als Wegintegral des E-Feldes
Definition Potential φ
Skalarfeld. φ(P)\varphi(P) = Arbeit pro Einheitsladung, um qq von P0P_0 nach PP zu bringen.
Definition Volt
1V=1J/C1\,\mathrm{V} = 1\,\mathrm{J/C}. Auch: 1N/C=1V/m1\,\mathrm{N/C} = 1\,\mathrm{V/m} für die Feldstärke.
Formel Spannung
U=φ(A)φ(B)U = \varphi(A) - \varphi(B)
Differenz zweier Potentialwerte.

2.2.2 Bezugspunkt und Äquipotentialflächen

Der Bezugspunkt P0P_0 wird per Definition auf φ(P0)=0\varphi(P_0) = 0 gesetzt; nur Differenzen von Potentialen sind physikalisch messbar, daher kann das absolute Niveau frei gewählt werden. Für Punktladungen und räumlich begrenzte Verteilungen nimmt man meist P0P_0 bei rr\to\infty, was auf das vertraute φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r} führt.

Äquipotentialflächen sind Flächen gleichen Potentials. Für Punktladungen sind das konzentrische Kugeln; für einen Plattenkondensator parallele Ebenen. Auf einer solchen Fläche hat jeder Punkt denselben φ\varphi-Wert, und das Verschieben einer Ladung entlang der Fläche kostet keinerlei Arbeit.

Daraus folgt eine geometrische Regel: Feldlinien stehen senkrecht auf Äquipotentialflächen. Grund: gäbe es eine tangentiale Komponente von E\vec{E} auf der Fläche, so wäre Eds0\vec{E}\cdot d\vec{s}\neq 0 entlang eines Schritts innerhalb der Fläche; das widerspräche Δφ=0\Delta\varphi = 0 auf einer Äquipotentialfläche. Also liegt E\vec{E} stets senkrecht dazu, und zwar in Richtung abnehmenden Potentials.

Der Bezugspunkt bei \infty funktioniert nur, wenn das Integral dorthin konvergiert. Bei einer unendlich ausgedehnten Platte oder einem unendlich langen Draht divergiert φ\varphi im Unendlichen; dort wählt man einen endlichen Referenzpunkt, z.B. die negative Platte selbst.

Punktladung: Potential
φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r}
mit φ()=0\text{mit } \varphi(\infty) = 0
1.0
1.0
Abb. 12: Äquipotentiallinien einer Punktladung
Definition Äquipotentialfläche
Menge aller Punkte mit gleichem Potential. Feldlinien stehen senkrecht darauf.
Merke Bezugspunkt ∞: Nur für räumlich begrenzte Ladungsverteilungen sinnvoll.

2.2.3 Gradient

Das E-Feld ist der negative Gradient des Potentials: E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi. Der Gradient φ\nabla\varphi zeigt in Richtung der stärksten Potentialzunahme; das Minus-Zeichen dreht den Vektor in Richtung der stärksten Abnahme, und genau dort erfährt eine positive Probeladung die grösste Kraft.

Komponentenweise in kartesischen Koordinaten gilt Ex=φ/xE_x = -\partial\varphi/\partial x, Ey=φ/yE_y = -\partial\varphi/\partial y, Ez=φ/zE_z = -\partial\varphi/\partial z. Hängt φ\varphi nur von einer Variable ab (etwa vom Radius rr), reduziert sich das auf eine gewöhnliche Ableitung: Er=dφ/drE_r = -d\varphi/dr.

Ein expliziter Check am Coulomb-Potential: aus φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r} folgt Er=ddr ⁣(Q4πε0r)=Q4πε0r2E_r = -\frac{d}{dr}\!\left(\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r}\right) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}. Das ist exakt das Coulomb-Feld einer Punktladung. Der 1r2\frac{1}{r^2}-Abfall des Feldes und der 1r\frac{1}{r}-Abfall des Potentials sind durch diese Ableitung verbunden.

Grafisch heisst das: E\vec{E} zeigt „bergab" in der Potentiallandschaft, senkrecht zu den Äquipotentiallinien. Liegen zwei benachbarte Äquipotentiallinien eng beieinander, ist der Gradient (und damit die Feldstärke) dort gross; weit auseinanderliegende Linien entsprechen schwachem Feld.

E als Gradient des Potentials
E=φ=gradφ\vec{E} = -\nabla\varphi = -\operatorname{grad}\varphi
Minus-Zeichen: E zeigt in Richtung abnehmenden Potentials.\text{Minus-Zeichen: }\vec{E}\text{ zeigt in Richtung abnehmenden Potentials.}
Komponentenweise (kartesisch)
Ex=φx,Ey=φy,Ez=φzE_x = -\frac{\partial\varphi}{\partial x},\quad E_y = -\frac{\partial\varphi}{\partial y},\quad E_z = -\frac{\partial\varphi}{\partial z}
Bei reiner Radialabha¨ngigkeit: Er=dφ/dr.\text{Bei reiner Radialabhängigkeit: }E_r = -d\varphi/dr.
1.0
1.0
Abb. 13: E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi mit Potential-Farbkarte
Notation Notation: Gradient
Wir: φ\nabla\varphi (Nabla-Operator).
Auch üblich: gradφ\operatorname{grad}\varphi, φ\vec{\nabla}\varphi (alle äquivalent).
In kartesischen Koordinaten: =(x,y,z)\nabla = (\partial_x,\partial_y,\partial_z).
Formel Gradient
E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi
Verbindet Skalarfeld φ\varphi und Vektorfeld E\vec{E}.
Formel Radiale Ableitung
Er=dφdrE_r = -\frac{d\varphi}{dr}
Gilt, wenn φ\varphi nur von rr abhängt (Kugelsymmetrie).
Querverweis → Gradient (math)

2.2.4 Ringintegral

Das Ringintegral (geschlossenes Wegintegral) des elektrischen Feldes verschwindet für stationäre (zeitunabhängige) Felder: Eds=0\oint\vec{E}\cdot d\vec{s} = 0. Physikalisch bedeutet das: eine Testladung, die einen geschlossenen Umlauf macht, kehrt mit derselben kinetischen Energie zurück, weil netto keine Arbeit am Teilchen verrichtet wurde.

Die positiven und negativen Wegabschnitte müssen sich also exakt kompensieren: W=0\sum W = 0 über den geschlossenen Pfad. Gleichwertig: der Wert von P0PEds\int_{P_0}^{P}\vec{E}\cdot d\vec{s} hängt nur von Start und Ziel ab, nicht vom gewählten Pfad. Genau diese Wegunabhängigkeit erlaubt es, jedem Punkt einen eindeutigen Potentialwert φ(P)\varphi(P) zuzuordnen.

Zusammengenommen sind vier Aussagen äquivalent für stationäre E-Felder: Eds=0    W\oint\vec{E}\cdot d\vec{s}=0 \;\Leftrightarrow\; W ist wegunabhängig     φ\;\Leftrightarrow\; \exists\,\varphi mit E=φ    ×E=0\vec{E}=-\nabla\varphi \;\Leftrightarrow\; \nabla\times\vec{E}=\vec{0} (differentielle Form via Stokes).

Achtung: Die Äquivalenz bricht im zeitabhängigen Fall zusammen. Das Faraday-Gesetz (Kap. 3) liefert Eds=dΦmag/dt\oint\vec{E}\cdot d\vec{s} = -d\Phi_{\text{mag}}/dt, und dann existiert im Allgemeinen kein skalares Potential mehr. Die hier behandelten Beziehungen gelten ausschliesslich für die Elektrostatik.

Ringintegral (Integralform)
Eds=0\oint \vec{E} \cdot d\vec{s} = 0
Konservatives Feld: Potential φ existiert.\text{Konservatives Feld: Potential }\varphi\text{ existiert.}
Differentielle Form (Rotation)
×E=0\nabla\times\vec{E} = \vec{0}
Folgt aus dem Ringintegral via Stokes; gilt in der Elektrostatik.\text{Folgt aus dem Ringintegral via Stokes; gilt in der Elektrostatik.}
1.0
0.00
Abb. 14: Ringintegral, geschlossener Umlauf im E-Feld
Merke Merke: Eds=0E\oint \vec{E} \cdot d\vec{s} = 0 \Leftrightarrow \vec{E} ist konservativ \Leftrightarrow Potential φ\varphi existiert.
Querverweis → Curl (math)

2.3.1 Punktladung

Das elektrische Potential einer Punktladung ist ein Skalarfeld: jedem Punkt im Raum wird ein Zahlenwert φ\varphi zugeordnet. φ\varphi fällt mit 1r\frac{1}{r} ab (langsamer als das Feld mit 1r2\frac{1}{r^2}), geht gegen 00 für rr\to\infty (Nullpunkt im Unendlichen), ist positiv für Q>0Q>0 und negativ für Q<0Q<0.

Warum φ1/r\varphi\sim 1/r und E1/r2E\sim 1/r^2? Das eine folgt direkt aus dem anderen. Aus φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r} und Er=dφ/drE_r = -d\varphi/dr erhalten wir Er=Q4πε0r2E_r = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}; eine Ableitung dreht die Potenz um eins nach unten. Umgekehrt entspricht die potentielle Energie einer Probeladung q0q_0 im Potential der Punktladung QQ genau Eel=q0φ=14πε0q0QrE_{\text{el}} = q_0\,\varphi = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q_0 Q}{r}.

Zusammenhang mit dem E-Feld: E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi, das E-Feld zeigt in Richtung abnehmenden Potentials. Die Äquipotentialflächen einer Punktladung sind konzentrische Kugeln, und die Feldlinien stehen senkrecht darauf, wie in 2.2.2 begründet.

Punktladung: Coulomb-Potential
φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r}
Nullpunkt im Unendlichen: φ()=0\text{Nullpunkt im Unendlichen: } \varphi(\infty) = 0
1.0
1.0
Abb. 15: Coulomb-Potential einer Punktladung
Formel Punktladung
φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r}
1r\frac{1}{r}-Abfall des Potentials.
Formel Energie zweier Punktladungen
Eel=q0φ=14πε0q0QrE_{\text{el}} = q_0\,\varphi = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\frac{q_0\,Q}{r}
Gleich wie EpotE_{\text{pot}} aus 2.1.1; jetzt direkt aus φ\varphi ablesbar.
Definition Elektronvolt (eV)
Energie, die ein Elektron bei 1V1\,\mathrm{V} Potentialdifferenz aufnimmt: 1eV=1,60×1019J1\,\mathrm{eV} = 1{,}60\times 10^{-19}\,\mathrm{J}. Standard-Einheit in der Teilchenphysik.
Merke Merke: φ1/r\varphi\sim 1/r, E1/r2E\sim 1/r^2; Potential fällt langsamer als Feld.

2.3.2 Räumliche Ladungsverteilung

Für eine kontinuierliche Ladungsverteilung mit Raumladungsdichte ρ(r)\rho(\vec{r}') summiert (integriert) man die Beiträge aller Volumenelemente dVdV'. Jedes Element bei r\vec{r}' trägt dφ=ρ(r)dV4πε0rrd\varphi = \frac{\rho(\vec{r}')\,dV'}{4\pi\varepsilon_0\,|\vec{r}-\vec{r}'|} bei, gewichtet mit dem inversen Abstand 1rr\frac{1}{|\vec{r}-\vec{r}'|}.

Warum Skalar-Superposition einfacher ist als Vektor-Superposition: beim E-Feld muss man an jedem Aufpunkt Vektoren mit Richtung und Betrag addieren, was oft drei Komponenten-Integrale bedeutet. Beim Potential summiert man nur Zahlen. Deshalb ist es häufig strategisch, zuerst φ\varphi zu berechnen und anschliessend E=φ\vec{E}=-\nabla\varphi zu bilden, statt E\vec{E} direkt zu integrieren.

Das Superpositionsprinzip gilt exakt, weil die Maxwell-Gleichungen linear in den Quellen sind: φgesamt=iφi\varphi_{\text{gesamt}} = \sum_i \varphi_i für diskrete Ladungen und φ=14πε0dq/r\varphi = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int dq'/r' im kontinuierlichen Fall. Die Gleichung funktioniert für Linien-, Flächen- und Volumenverteilungen, solange man dqdq' mit der passenden Dichte einsetzt: dq=λdldq' = \lambda\,dl', σdA\sigma\,dA' oder ρdV\rho\,dV'.

Analogie: exakt wie bei der Gravitation. Viele kleine Massen ergeben ein Gesamtpotential durch Addition der Einzelpotentiale. Die 1r\frac{1}{r}-Struktur und die skalare Additivität sind in beiden Theorien identisch; nur das Vorzeichen unterscheidet sich (Gravitation ist immer anziehend).

Räumliche Ladungsverteilung
φ(r)=14πε0ρ(r)dVrr\varphi(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0} \int \frac{\rho(\vec{r}')\,dV'}{|\vec{r} - \vec{r}'|}
Integral u¨ber das Ladungsvolumen.\text{Integral über das Ladungsvolumen.}
Allgemeine kontinuierliche Form
φ(r)=14πε0dqrr,dq{λdl,  σdA,  ρdV}\varphi(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int \frac{dq'}{|\vec{r}-\vec{r}'|},\quad dq' \in \{\lambda\,dl',\; \sigma\,dA',\; \rho\,dV'\}
Linie, Fla¨che oder Volumen, je nach Geometrie.\text{Linie, Fläche oder Volumen, je nach Geometrie.}
1.0
2.0
Abb. 16: Superposition, Potential einer räumlichen Verteilung
Definition ρ(r')
Volumenladungsdichte ρ(r)\rho(\vec{r}'). Einheit: C/m3\mathrm{C/m^3}. Ladung pro Volumenelement.
Merke Superposition: φgesamt=iφi\varphi_{\text{gesamt}} = \sum_i \varphi_i. Gilt, weil die Gleichungen linear sind.

2.3.3 Dipolmoment

Ein elektrischer Dipol besteht aus zwei gleich grossen, entgegengesetzten Ladungen +Q+Q und Q-Q im Abstand ll. Das Dipolmoment ist p=Ql\vec{p} = Q\,\vec{l}, ein Vektor, der per Konvention von der negativen zur positiven Ladung zeigt. Einheit: Cm\mathrm{C\cdot m}.

Im Fernfeld (rlr\gg l) liefert die Superposition der beiden Punktladungs-Potentiale nach Entwicklung in Potenzen von l/rl/r das Dipolpotential φ(r,θ)=pcosθ4πε0r2\varphi(r,\theta) = \frac{p\cos\theta}{4\pi\varepsilon_0\,r^2}. Es fällt mit 1r2\frac{1}{r^2} ab (schneller als Monopol), verschwindet auf der Mittelsenkrechten (θ=90°\theta=90°) und wechselt beim Durchqueren dieser Ebene das Vorzeichen.

Dipol im externen Feld: liegt der Dipol in einem homogenen Feld E\vec{E}, so wirken auf +Q+Q und Q-Q gleich grosse, entgegengesetzte Kräfte. Die Nettokraft verschwindet, aber es bleibt ein Drehmoment M=p×E\vec{M} = \vec{p}\times\vec{E}. Dieses richtet den Dipol so aus, dass p\vec{p} parallel zu E\vec{E} liegt; in Gleichgewichtslage ist M=0|\vec{M}|=0.

Zur Orientierung gehört eine Energie: die potentielle Energie eines Dipols im Feld ist Epot=pE=pEcosθE_{\text{pot}} = -\vec{p}\cdot\vec{E} = -pE\cos\theta. Sie ist minimal, wenn pE\vec{p}\parallel\vec{E} (stabile Ausrichtung), maximal bei antiparalleler Lage (instabil) und Null, wenn pE\vec{p}\perp\vec{E}. Deshalb drehen sich polare Moleküle (z.B. H2O\mathrm{H_2O}, HCl\mathrm{HCl}) in einem äusseren Feld in die Richtung dieses Energie-Minimums, was die Grundlage der Dielektrikum-Wirkung in 2.6 bildet.

Dipolmoment
p=Ql\vec{p} = Q\,\vec{l}
Vektor: zeigt von Q nach +Q.  [p]=Cm.\text{Vektor: zeigt von } -Q \text{ nach } +Q. \; [p] = \mathrm{C\cdot m}.
Dipolpotential (Fernfeld)
φ(r,θ)=pcosθ4πε0r2\varphi(r, \theta) = \frac{p\cos\theta}{4\pi\varepsilon_0\,r^2}
gilt fu¨rl;  θ=(p,r).  φ1/r2.\text{gilt für } r \gg l;\; \theta = \angle(\vec{p},\vec{r}).\; \varphi\propto 1/r^2.
Drehmoment auf Dipol im externen Feld
M=p×E\vec{M} = \vec{p}\times\vec{E}
Richtet p parallel zu E aus (stabile Lage).\text{Richtet }\vec{p}\text{ parallel zu }\vec{E}\text{ aus (stabile Lage).}
Potentielle Energie eines Dipols im Feld
Epot=pE=pEcosθE_{\text{pot}} = -\vec{p}\cdot\vec{E} = -p\,E\,\cos\theta
Minimum bei θ=0 (parallel); Maximum bei θ=π.\text{Minimum bei }\theta=0\text{ (parallel); Maximum bei }\theta=\pi.
1.0
1.2
Abb. 17: Elektrischer Dipol mit +Q+Q und Q-Q im Abstand ll
Notation Notation: Dipolmoment
Wir: p=Ql\vec{p} = Q\,\vec{l}, zeigt von Q-Q nach +Q+Q.
Nicht verwechseln mit P\vec{P} (Polarisation pro Volumen, erscheint in 2.6 Dielektrika).
Einheit: Cm\mathrm{C\cdot m}; molekulare Dipole werden oft in Debye (1D3,336×1030Cm1\,\mathrm{D} \approx 3{,}336\times 10^{-30}\,\mathrm{C\cdot m}) angegeben.
Definition Dipolmoment p
Vektor p=Ql\vec{p} = Q\,\vec{l}, zeigt von - nach ++. Einheit: Cm\mathrm{C\cdot m}.
Formel Dipol im Feld
M=p×E,Epot=pE\vec{M} = \vec{p}\times\vec{E},\quad E_{\text{pot}} = -\vec{p}\cdot\vec{E}
Drehmoment richtet aus, Energie-Minimum bei pE\vec{p}\parallel\vec{E}.
Merke Fernfeld: φDipol1/r2\varphi_{\text{Dipol}}\propto 1/r^2, EDipol1/r3E_{\text{Dipol}}\propto 1/r^3; schneller als Monopol.

2.3.4 Dreieck: 3 Ladungen

Drei Ladungen (+1,+1,1)(+1, +1, -1) in einer Dreiecks-Anordnung. Nettoladung Qnet=+1Q_{\text{net}} = +1; im Fernfeld (rlr\gg l) sieht die Konfiguration deshalb aus wie eine einzelne Punktladung Q=+1Q=+1, und das Potential fällt mit 1r\frac{1}{r} ab.

Im Nahfeld verlassen Feldlinien die positiven Ladungen und enden auf der negativen. Zwischen den Ladungen wird das Feld komplex, und nur die Superposition bestimmt seinen genauen Verlauf. Die Anordnung ist nicht radialsymmetrisch (anders als der Monopol), und die Äquipotentiallinien haben entsprechend deformierte Formen.

Formal folgt das Gesamtpotential aus der Summe der Einzelpotentiale: φ(r)=14πε0iqirri\varphi(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum_i\frac{q_i}{|\vec{r}-\vec{r}_i|}. Weil das Potential ein Skalar ist, addieren sich die drei Beiträge einfach (Vorzeichen beachten!); das E-Feld folgt dann aus E=φ\vec{E} = -\nabla\varphi mit jeweils vektorieller Addition pro Aufpunkt.

Jede Ladungsanordnung speichert eine elektrische Gesamtenergie Eel=12iqiφiE_{\text{el}} = \tfrac{1}{2}\sum_i q_i\,\varphi_i, wobei φi\varphi_i das Potential der anderen Ladungen am Ort von qiq_i ist. Der Faktor 12\tfrac{1}{2} verhindert Doppelzählung der Paarwechselwirkungen. Diese Grösse gibt an, wie viel Arbeit insgesamt nötig war, um die Konfiguration aus unendlich entfernten Einzelladungen zusammenzubringen.

Superposition (E-Feld diskret)
E(r)=14πε0iqi(rri)rri3\vec{E}(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum_i \frac{q_i\,(\vec{r} - \vec{r}_i)}{|\vec{r} - \vec{r}_i|^3}
Summe der Coulomb-Beitra¨ge aller Einzelladungen.\text{Summe der Coulomb-Beiträge aller Einzelladungen.}
Potential System diskreter Ladungen
φ(r)=14πε0iqirri\varphi(\vec{r}) = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\sum_i \frac{q_i}{|\vec{r}-\vec{r}_i|}
Skalare Superposition; Vorzeichen von qi beachten.\text{Skalare Superposition; Vorzeichen von }q_i\text{ beachten.}
Elektrische Energie einer Ladungsanordnung
Eel=12iqiφiE_{\text{el}} = \tfrac{1}{2}\sum_i q_i\,\varphi_i
φi: Potential aller anderen Ladungen am Ort von qi.  12 vermeidet Doppelza¨hlung.\varphi_i\text{: Potential aller \emph{anderen} Ladungen am Ort von }q_i.\;\tfrac{1}{2}\text{ vermeidet Doppelzählung.}
1.0
-1.0
Abb. 18: Drei Ladungen im Dreieck, Superposition
Merke Fernfeld ≠ Nahfeld: Gleiche Anordnung sieht unterschiedlich aus auf verschiedenen Skalen.

2.3.5 Quadrupol

Vier Ladungen (+1,1,+1,1)(+1, -1, +1, -1) an den Ecken eines Quadrats. Die Nettoladung verschwindet (Qnet=0Q_{\text{net}} = 0), und auch das Dipolmoment ist null (p=0\vec{p}=\vec{0}), weil die beiden Dipole in den Diagonalen sich aufheben. Der Quadrupol ist die nächste Ordnung nach dem Dipol in der Multipolentwicklung.

Im Fernfeld fällt das Potential mit φ1/r3\varphi\propto 1/r^3 und die Feldstärke mit E1/r4|\vec{E}|\propto 1/r^4, also noch schneller als beim Dipol (1/r31/r^3) oder Monopol (1/r21/r^2). Symmetrie-Eigenschaften: E=0\vec{E}=\vec{0} exakt im Zentrum (Sattelpunkt), φ=0\varphi=0 auf den beiden Symmetrieachsen (x=0x=0 und y=0y=0), und die vier Quadranten tragen abwechselnd φ>0\varphi>0 und φ<0\varphi<0.

Allgemein lässt sich jede begrenzte Ladungsverteilung weit weg durch eine Multipolentwicklung beschreiben: φ(r)a0r+a1r2+a2r3+a3r4+\varphi(r) \approx \frac{a_0}{r} + \frac{a_1}{r^2} + \frac{a_2}{r^3} + \frac{a_3}{r^4} + \ldots, mit Monopolmoment (QnetQ_{\text{net}}), Dipolmoment (p\vec{p}), Quadrupolmoment (Tensor), Oktupolmoment usw. Die niedrigste nicht-verschwindende Ordnung bestimmt das Fernfeldverhalten. Hat die Verteilung kein Monopol- und kein Dipolmoment, dominiert der Quadrupol-Term.

Anwendungen: Massenspektrometer nutzen Quadrupol-Felder zur Massenseparation von Ionen, Paul-Fallen sperren einzelne Ionen über zeitveränderliche Quadrupol-Felder ein (Nobelpreis 1989), und die Multipolentwicklung von Kern- und Molekül-Ladungsverteilungen ist Standard in Kern- und Molekülphysik.

Quadrupol: Fernfeldverhalten
φ1r3,E1r4\varphi \propto \frac{1}{r^3},\quad |\vec{E}| \propto \frac{1}{r^4}
Schnellerer Abfall als Dipol; niedrigste nicht-verschwindende Ordnung der Multipolentwicklung.\text{Schnellerer Abfall als Dipol; niedrigste nicht-verschwindende Ordnung der Multipolentwicklung.}
1.0
0.9
Abb. 19: Quadrupol mit vier Ladungen an Quadrat-Ecken
Merke Multipole: Monopol 1r2\frac{1}{r^2}, Dipol 1r3\frac{1}{r^3}, Quadrupol 1r4\frac{1}{r^4}. Jede Ordnung fällt schneller ab.
Definition Paul-Falle
Quadrupol-Ionenfalle aus der Teilchenphysik.

2.4.1 Definition: C = Q/U

Ein Kondensator besteht aus zwei Leitern mit Ladungen +Q+Q und Q-Q, zwischen denen eine Spannung UU anliegt. Die Kapazität ist das Verhältnis C=Q/UC = Q/U. Einheit: [C]=C/V=[C] = \mathrm{C/V} = Farad (F), typische Werte liegen im Bereich pF(1012)\mathrm{pF}\,(10^{-12}), nF(109)\mathrm{nF}\,(10^{-9}), μF(106)\mathrm{\mu F}\,(10^{-6}).

Warum ist das Verhältnis Q/UQ/U überhaupt konstant? Weil das elektrostatische Problem linear in den Quellen ist: verdoppelt man die Ladung, verdoppelt sich nach dem Superpositionsprinzip das E-Feld und damit auch U=EdsU = \int \vec{E}\cdot d\vec{s}. Das Verhältnis Q/UQ/U hängt daher nur von der Geometrie und dem Dielektrikum ab, nicht von QQ oder UU selbst.

Nützliche Analogie: Der Kondensator ist wie ein Wasserkrug. Die Spannung entspricht dem Wasserstand, die Ladung dem eingefüllten Volumen, und die Kapazität der Grundfläche des Krugs. Ein breiter Krug (grosses CC) nimmt viel Wasser (Ladung) bei geringem Anstieg (Spannung) auf; ein schmales Glas (kleines CC) füllt sich schnell.

Definition der Kapazität
C=QUC = \frac{Q}{U}
[C]=C/V=Farad=F[C] = \mathrm{C/V} = \text{Farad} = \mathrm{F}
1.0
5.0
Abb. 20: Kondensator-Definition (QQ, UU, CC)
Definition Farad
[C]=1F=1C/V[C] = 1\,\mathrm{F} = 1\,\mathrm{C/V}. Praktische Werte: pF\mathrm{pF}, nF\mathrm{nF}, μF\mathrm{\mu F}.
Definition Durchschlagsfestigkeit
Maximale Feldstärke, die ein Isolator aushält, bevor er leitend wird. In trockener Luft: Emax3×106V/mE_{\max}\approx 3\times 10^6\,\mathrm{V/m}. Begrenzt die zulässige Spannung jedes Kondensators.
Merke Merke: CC hängt nur von Geometrie und Dielektrikum ab.

2.4.2 Kirchhoff für Kondensatoren

Die Knotenregel kQk=0\sum_k Q_k = 0 drückt Ladungserhaltung an jedem Knoten aus: was an Ladung hineinfliesst, muss auch wieder abfliessen. Die Maschenregel iUi=kQk/Ck\sum_i U_i = \sum_k Q_k/C_k verlangt, dass die Summe aller Spannungen in einem geschlossenen Umlauf verschwindet.

Woher stammt die Maschenregel? Genau aus dem Ringintegral Eds=0\oint\vec{E}\cdot d\vec{s}=0 aus 2.2.4. Läuft man einen geschlossenen Stromkreis ab, addieren sich die einzelnen Spannungen (Teilintegrale von E\vec{E} entlang der Kondensatoren und Quellen) zu Null; die Maschenregel ist nichts anderes als diese Aussage in Schaltungssprache.

Die Ladung auf einem Kondensator entspricht dem Strom-Zeit-Integral: Q(t)=0tI(t)dtQ(t) = \int_0^t I(t')\,dt', und umgekehrt ist der Strom die Zeitableitung der Ladung I=dQ/dtI = dQ/dt. Diese beiden Beziehungen steuern das zeitliche Verhalten jeder RC-Schaltung. Die Animation illustriert einen Ladezyklus: Strom fliesst, bis die Kondensatorspannung UCU_C der Quellenspannung UQU_Q gleichkommt und der Strom auf Null absackt. Die vollständige Dynamik mit der Zeitkonstante τ=RC\tau = RC wird in 2.5 diskutiert.

Kirchhoff für Kondensatornetze
kQk=0iUi=kQkCk\sum_k Q_k = 0 \quad\Big|\quad \sum_i U_i = \sum_k \frac{Q_k}{C_k}
Knoten- und Maschenregel; letztere folgt aus Eds=0.\text{Knoten- und Maschenregel; letztere folgt aus }\oint\vec{E}\cdot d\vec{s}=0.
Strom als Ableitung der Ladung
I=dQdtQ(t)=0tI(t)dtI = \frac{dQ}{dt}\quad\Longleftrightarrow\quad Q(t) = \int_0^t I(t')\,dt'
Steuert das zeitliche Verhalten in RC-Schaltungen (siehe 2.5).\text{Steuert das zeitliche Verhalten in RC-Schaltungen (siehe 2.5).}
1.0
5.0
Abb. 21: Kirchhoff, Ladezyklus eines Kondensators
Formel Q ↔ I
Q=IdtQ = \int I \, dt
Kondensatorladung = Integral des Stroms II.

2.4.3 Serieschaltung

In Serie haben alle Kondensatoren dieselbe Ladung QQ, aber unterschiedliche Spannungen Ui=Q/CiU_i = Q/C_i. Die Gesamtspannung ergibt sich als Summe: Uges=U1+U2+U3=Q(1C1+1C2+1C3)U_{\text{ges}} = U_1 + U_2 + U_3 = Q\left(\frac{1}{C_1}+\frac{1}{C_2}+\frac{1}{C_3}\right), woraus unmittelbar 1/Ctot=i1/Ci1/C_{\text{tot}} = \sum_i 1/C_i folgt.

Warum tragen alle Kondensatoren dieselbe Ladung? Die Innen-Platten zweier benachbarter Kondensatoren sind isoliert und hatten vor dem Anlegen der Quelle die Gesamtladung Null. Durch Ladungserhaltung muss die auf einer Innen-Platte induzierte negative Ladung genau die positive Ladung der nächsten Innen-Platte ausgleichen; deshalb zwingen die Platten einander auf Q1=Q2=Q3Q_1 = Q_2 = Q_3, unabhängig von den Einzelkapazitäten.

Achtung: CtotC_{\text{tot}} ist kleiner als der kleinste Einzelkondensator. Genau umgekehrt wie bei Widerständen in Serie, was auf den ersten Blick irritiert; intuitiv liegt es daran, dass der Gesamtabstand zwischen den äussersten Platten grösser wird und die Kapazität mit zunehmendem Abstand sinkt (vgl. C=ε0A/dC = \varepsilon_0 A/d).

Serieschaltung
1Ctot=i1Ci\frac{1}{C_{\text{tot}}} = \sum_i \frac{1}{C_i}
Ctot kleiner als jedes CiC_{\text{tot}} \text{ kleiner als jedes } C_i
1.0
1.5
Abb. 22: Kondensatoren in Serie
Merke Serie: QQ gleich, UU addiert. CtotC_{\text{tot}} sinkt.

2.4.4 Parallelschaltung

Bei Parallelschaltung liegt an allen Kondensatoren dieselbe Spannung UU. Grund: alle linken Platten hängen an einem gemeinsamen Knoten (und damit am Pluspol der Quelle), alle rechten Platten am anderen Knoten (Minuspol). Jeder Kondensator sieht also denselben Potentialunterschied UU.

Die Ladungen unterscheiden sich entsprechend den Einzelkapazitäten: Qi=CiUQ_i = C_i\,U. Die Gesamtladung ist Qges=iQi=UiCiQ_{\text{ges}} = \sum_i Q_i = U\sum_i C_i, also Ctot=Qges/U=iCiC_{\text{tot}} = Q_{\text{ges}}/U = \sum_i C_i. Anschaulich entspricht die Parallelschaltung einer Vergrösserung der effektiven Plattenfläche, was bei festem Abstand die Kapazität proportional erhöht (`CAC \propto A` im Plattenkondensator).

CtotC_{\text{tot}} ist grösser als der grösste Einzelkondensator, wieder das Gegenteil der Widerstände parallel. Faustregel: Kondensatoren verhalten sich bei Verschaltung wie inverse Widerstände, weil sie Ladung sammeln, nicht Strom durchlassen.

Parallelschaltung
Ctot=iCiC_{\text{tot}} = \sum_i C_i
Ctot gro¨sser als jedes CiC_{\text{tot}} \text{ grösser als jedes } C_i
1.0
1.5
Abb. 23: Kondensatoren parallel
Merke Parallel: UU gleich, QQ addiert. CtotC_{\text{tot}} wächst.

2.4.5 Plattenkondensator

Der Plattenkondensator besteht aus zwei parallelen Platten mit Fläche AA und Abstand dd. Zwischen den Platten herrscht ein homogenes Feld E=σ/ε0=U/dE = \sigma/\varepsilon_0 = U/d, und die Kapazität ist C=ε0A/dC = \varepsilon_0 A/d.

Diese Formel folgt direkt aus Gauss und der Definition C=Q/UC = Q/U. Die Flächenladungsdichte ist σ=Q/A\sigma = Q/A; zwei entgegengesetzt geladene unendliche Platten erzeugen nach 2.1.7 zwischen sich E=σ/ε0E = \sigma/\varepsilon_0. Das Wegintegral über den Plattenabstand liefert U=Ed=Qd/(ε0A)U = E\,d = Qd/(\varepsilon_0 A). Einsetzen ergibt C=Q/U=ε0A/dC = Q/U = \varepsilon_0 A/d; grosse Fläche oder kleiner Abstand ergeben hohe Kapazität.

Die Teilchen in der Animation fliegen von ++ nach - entlang des uniformen Innenfelds. Am Rand treten Streufelder auf: die Näherung „unendlich ausgedehnte Platten" bricht zusammen, und E\vec{E} ist dort nicht mehr uniform. Für dAd \ll \sqrt{A} sind die Randeffekte vernachlässigbar und die Formel C=ε0A/dC = \varepsilon_0 A/d sehr genau.

Plattenkondensator
C=ε0AdC = \frac{\varepsilon_0 \, A}{d}
A=Plattenfla¨che,  d=PlattenabstandA = \text{Plattenfläche}, \; d = \text{Plattenabstand}
E-Feld zwischen den Platten
E=σε0=UdE = \frac{\sigma}{\varepsilon_0} = \frac{U}{d}
homogen\text{homogen}
1.0
1.00
Abb. 24: Plattenkondensator, homogenes E-Feld
Formel Plattenkondensator
C=ε0AdC = \frac{\varepsilon_0 \, A}{d}
Einfachster Fall, homogenes E\vec{E}-Feld.

2.4.6 Zylinderkondensator

Zwei koaxiale Zylinder mit Innenradius rir_i, Aussenradius rar_a und Länge LL (wir nehmen LraL\gg r_a an, damit Randeffekte an den Enden vernachlässigbar sind). Zwischen den Zylindern lässt sich das E-Feld über Gauss mit einer koaxialen Zylinderfläche ausrechnen: E(r)=λ/(2πε0r)E(r) = \lambda/(2\pi\varepsilon_0\,r) für ri<r<rar_i<r<r_a, also E1/rE\propto 1/r, stärker nahe dem Innenleiter.

Die Kapazität folgt dann durch Integration. Die Spannung zwischen den Zylindern ist U=riraEdr=λ2πε0ln ⁣(rari)U = \int_{r_i}^{r_a} E\,dr = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0}\ln\!\left(\frac{r_a}{r_i}\right), und mit λ=Q/L\lambda = Q/L liefert C=Q/UC = Q/U direkt die Formel C=2πε0L/ln(ra/ri)C = 2\pi\varepsilon_0 L/\ln(r_a/r_i). Der Logarithmus entsteht aus dem Integral über 1/r1/r und ist der signature-Unterschied zum Plattenkondensator.

Anwendung: jedes Koaxialkabel ist ein langer Zylinderkondensator; die Kapazität pro Länge C/L=2πε0/ln(ra/ri)C/L = 2\pi\varepsilon_0/\ln(r_a/r_i) bestimmt zusammen mit der Induktivität die Wellenimpedanz des Kabels (50Ω\sim 50\,\Omega bei typischer Geometrie).

Zylinderkondensator
C=2πε0Lln ⁣(rari)C = \frac{2\pi\varepsilon_0 \, L}{\ln\!\left(\frac{r_a}{r_i}\right)}
koaxial;  L=La¨nge\text{koaxial}; \; L = \text{Länge}
3.2
Abb. 25: Zylinderkondensator (Koaxialkabel)
Formel Zylinderkondensator
C=2πε0Lln ⁣(rari)C = \frac{2\pi\varepsilon_0 \, L}{\ln\!\left(\frac{r_a}{r_i}\right)}
Anwendung: Koaxialkabel.

2.4.7 Kugelkondensator

Zwei konzentrische Kugeln mit Innenradius rir_i und Aussenradius rar_a bilden einen Kugelkondensator. Zwischen ihnen gilt nach Gauss das bekannte Coulomb-Feld der Innenkugel: E(r)=Q4πε0r2E(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2} für ri<r<rar_i<r<r_a; aussen liegt E=0E=0, weil die beiden Gesamtladungen +Q+Q und Q-Q einander kompensieren.

Die Kapazität folgt aus der Potentialdifferenz zwischen den Kugelschalen. Mit φ(r)=Q/(4πε0r)\varphi(r) = Q/(4\pi\varepsilon_0 r) für eine Punktladung QQ im Zentrum ergibt sich U=φ(ri)φ(ra)=Q4πε0(1ri1ra)=Q(rari)4πε0riraU = \varphi(r_i) - \varphi(r_a) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac{1}{r_i}-\frac{1}{r_a}\right) = \frac{Q(r_a-r_i)}{4\pi\varepsilon_0\,r_i r_a}, und daraus C=Q/U=4πε0rira/(rari)C = Q/U = 4\pi\varepsilon_0 r_i r_a/(r_a-r_i).

Grenzfall isolierte Kugel (rar_a\to\infty): die Aussenschale verschwindet und man erhält C=4πε0riC = 4\pi\varepsilon_0\,r_i. Das ist die Selbstkapazität eines einzelnen Leiters gegen das Unendliche; für die Erde (r6,4×106mr \approx 6{,}4\times 10^6\,\mathrm{m}) sind das etwa 710μF710\,\mathrm{\mu F}, praktisch eine riesige Ladungssenke.

Kugelkondensator
C=4πε0rarirariC = \frac{4\pi\varepsilon_0\,r_a\,r_i}{r_a - r_i}
Konzentrische Kugeln; Herleitung aus U=φ(ri)φ(ra).\text{Konzentrische Kugeln; Herleitung aus }U = \varphi(r_i)-\varphi(r_a).
Isolierte Kugel (Grenzfall)
C=4πε0riC = 4\pi\varepsilon_0\,r_i
ra: einzelner kugelfo¨rmiger Leiter gegen das Unendliche.r_a\to\infty:\text{ einzelner kugelförmiger Leiter gegen das Unendliche.}
3.0
Abb. 26: Kugelkondensator
Merke Isolierte Kugel: raC=4πε0rir_a \to \infty \Rightarrow C = 4\pi\varepsilon_0 r_i.

2.4.8 Energie & Energiedichte

Die Energie eines Kondensators lässt sich in drei äquivalenten Formen schreiben: Eel=12CU2=12QU=Q22CE_{\text{el}} = \tfrac{1}{2} C U^2 = \tfrac{1}{2} Q U = \frac{Q^2}{2C}. Alle drei folgen mit C=Q/UC=Q/U auseinander; welche Form am bequemsten ist, hängt davon ab, welche zwei Grössen man als bekannt annimmt.

Der Faktor 12\tfrac{1}{2} ist kein Zufall und verdient eine genaue Erklärung: er kommt aus der Integration während des Ladens. Hat der Kondensator bereits die Ladung QQ', herrscht zwischen den Platten die Spannung U=Q/CU' = Q'/C. Um ein weiteres kleines Ladungspaket dQdQ' gegen diese Spannung auf den Kondensator zu schieben, braucht man die Arbeit dW=UdQ=(Q/C)dQdW = U'\,dQ' = (Q'/C)\,dQ'. Integriert man von Q=0Q'=0 bis Q=QQ'=Q, wächst die bereits vorhandene Spannung linear mit, und man erhält W=0QQCdQ=Q22CW = \int_0^Q \frac{Q'}{C}\,dQ' = \frac{Q^2}{2C}. Der Faktor 12\tfrac{1}{2} bedeutet also: im Mittel wurde jede Ladungsportion bei halber Endspannung gegen das Feld geschoben.

Die Energiedichte im E-Feld ist w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2, Einheit J/m3\mathrm{J/m^3}. Überraschend: die Energie steckt im Feld selbst, nicht in den Ladungen auf den Platten. Integriert man ww über das gesamte Feldvolumen zwischen den Platten, erhält man wdV=12ε0E2(Ad)=12(ε0A/d)U2=12CU2\int w\,dV = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0 E^2\,(A\,d) = \tfrac{1}{2}(\varepsilon_0 A/d)\,U^2 = \tfrac{1}{2}CU^2. Die beiden Sichtweisen (Energie in den Platten vs. Energie im Feld) sind exakt äquivalent.

Das Konzept der Feld-Energiedichte ist allgemein: w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0 |\vec{E}|^2 gilt überall dort, wo ein E-Feld existiert, nicht nur zwischen Kondensatorplatten. In 2.7 werden wir darauf aufbauen, wenn es um Kräfte zwischen geladenen Leitern geht.

Kondensator-Energie
Eel=12CU2=12QU=Q22CE_{\text{el}} = \tfrac{1}{2} C U^2 = \tfrac{1}{2} Q U = \frac{Q^2}{2C}
Drei a¨quivalente Formen; umgerechnet via C=Q/U.\text{Drei äquivalente Formen; umgerechnet via }C = Q/U.
Ladearbeit (Herleitung des 1/2)
W=0QUdQ=0QQCdQ=Q22CW = \int_0^Q U'\,dQ' = \int_0^Q \frac{Q'}{C}\,dQ' = \frac{Q^2}{2C}
Integration liefert den Faktor 12; jede Ladung wurde im Mittel bei halber Endspannung geschoben.\text{Integration liefert den Faktor }\tfrac{1}{2};\text{ jede Ladung wurde im Mittel bei halber Endspannung geschoben.}
Energiedichte im E-Feld
w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\,\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2
[w]=J/m3. Integration u¨ber das Feldvolumen reproduziert 12CU2.[w] = \mathrm{J/m^3}.\text{ Integration über das Feldvolumen reproduziert }\tfrac{1}{2}CU^2.
1.0
5.0
Abb. 27: Energie eines Kondensators
Formel Energie
Eel=12CU2E_{\text{el}} = \tfrac{1}{2} C U^2
Im E\vec{E}-Feld gespeichert.
Merke Merke: Die Energie steckt im Feld, nicht in den Ladungen.

2.5.1 Zeitkonstante τ = RC

Die Zeitkonstante τ=RC\tau = R\,C ist die charakteristische Zeit jedes RC-Kreises. Sie entsteht als einzige sinnvolle Zeitgrösse, die sich aus den Bauteil-Werten RR (in Ω\Omega) und CC (in F\mathrm{F}) kombinieren lässt; das Produkt ΩF=(V/A)(C/V)=s\Omega\cdot\mathrm{F} = (\mathrm{V/A})\cdot(\mathrm{C/V}) = \mathrm{s} hat genau die Einheit einer Zeit.

Bei t=τt=\tau ist der Kondensator auf UC(τ)=U0(1e1)63,2%U_C(\tau) = U_0(1-e^{-1}) \approx 63{,}2\% von U0U_0 geladen; nach 5τ5\tau sind es rund 99,3%99{,}3\%, was in der Praxis als „voll geladen" gilt. Der Anfangsstrom ist I0=U0/RI_0 = U_0/R, begrenzt allein durch den Widerstand, weil ein leerer Kondensator momentan wie ein Kurzschluss wirkt.

Grösser werdendes RR oder CC verlängern die Ladezeit: RR drosselt den Strom, CC erhöht die aufnehmbare Ladung. Beispiel: R=1kΩR = 1\,\mathrm{k\Omega} mit C=1mFC = 1\,\mathrm{mF} ergibt τ=1s\tau = 1\,\mathrm{s}; ein Kamera-Blitzkondensator mit C=1mFC = 1\,\mathrm{mF} an R=100ΩR = 100\,\mathrm{\Omega} lädt in τ=0,1s\tau = 0{,}1\,\mathrm{s}.

Zeitkonstante
τ=RC\tau = R \, C
charakteristische Ladezeit;  I0=U0R\text{charakteristische Ladezeit}; \; I_0 = \frac{U_0}{R}
1.0
1.0
1.0
Abb. 28: Zeitkonstante τ=RC\tau = RC
Notation Notation: Zeitkonstante
Wir: τ=RC\tau = RC (Zeitkonstante des exponentiellen Zerfalls).
Nicht verwechseln mit TT (Periode einer Schwingung, kommt in 4.x).
Alternativen: 1/e1/e-Zeit, oder Halbwertszeit T1/2=τln20,693τT_{1/2} = \tau\,\ln 2 \approx 0{,}693\,\tau.
Definition τ
τ=RC\tau = RC. Zeit, in der der Kondensator auf 63,2% U0U_0 lädt.

2.5.2 Strom und Spannung beim Laden

Beim Ladevorgang folgen Ladung, Strom und Spannung exponentiellen Kurven: Q(t)=CU0(1et/τ)Q(t) = CU_0\,(1-e^{-t/\tau}), I(t)=I0et/τI(t) = I_0\,e^{-t/\tau} mit I0=U0/RI_0 = U_0/R, und UC(t)=U0(1et/τ)U_C(t) = U_0\,(1-e^{-t/\tau}). Zu jedem Zeitpunkt gilt die Maschenregel U0=RI(t)+UC(t)U_0 = R\,I(t) + U_C(t); der Strom treibt die Ladung auf, und die wachsende Kondensatorspannung drückt den Strom sukzessive zurück.

Der Strom ist anfangs maximal, weil der leere Kondensator keine Gegenspannung aufbaut; mit wachsendem UCU_C wird die effektive Spannung am Widerstand (U0UC)(U_0-U_C) immer kleiner, und der Strom zerfällt exponentiell. Die Spannung UCU_C nähert sich asymptotisch an U0U_0 an, weil der Ladestrom nie ganz verschwindet, nur immer langsamer wird.

Entladen funktioniert analog: der Kondensator wird von der Quelle getrennt und über den Widerstand entladen. Die Ladung folgt Q(t)=Q0et/τQ(t) = Q_0\,e^{-t/\tau}, der Strom I(t)=(Q0/τ)et/τI(t) = -(Q_0/\tau)\,e^{-t/\tau} (Minuszeichen: entgegengesetzte Richtung zum Laden). Nach τ\tau sind noch 36,8%36{,}8\% der Ladung übrig, nach 5τ5\tau praktisch nichts mehr.

Wertetabelle für beide Prozesse: t=τ36,8%t=\tau \to 36{,}8\% (II bzw. Restladung beim Entladen) und 63,2%63{,}2\% (UCU_C beim Laden); t=3τ5,0%t=3\tau\to 5{,}0\% bzw. 95,0%95{,}0\%; t=5τ0,7%t=5\tau\to 0{,}7\% bzw. 99,3%99{,}3\%.

Laden: Q, I, U
Q(t)=CU0(1et/τ),I(t)=U0Ret/τ,UC(t)=U0(1et/τ)Q(t) = C U_0\,(1 - e^{-t/\tau}),\quad I(t) = \frac{U_0}{R}\,e^{-t/\tau},\quad U_C(t) = U_0\,(1 - e^{-t/\tau})
Maschenregel: U0=RI+UC.\text{Maschenregel: } U_0 = R\,I + U_C.
Entladen: Q, I
Q(t)=Q0et/τ,I(t)=Q0RCet/τQ(t) = Q_0\,e^{-t/\tau},\quad I(t) = -\frac{Q_0}{RC}\,e^{-t/\tau}
Vorzeichen: Strom fließt entgegen der Laderichtung.\text{Vorzeichen: Strom fließt entgegen der Laderichtung.}
1.0
1.0
Abb. 29: Lade-Kurven I(t)I(t) und UC(t)U_C(t)
Formel Exponentielles Laden
UC=U0(1et/τ)U_C = U_0 \, (1 - e^{-t/\tau})
Annäherung an U0U_0 mit Zeitkonstante τ\tau.

2.5.3 Differentialgleichung

Die exponentielle Form der Lade- und Entladekurven folgt aus einer Differentialgleichung, die sich unmittelbar aus der Maschenregel ergibt. Für den Ladevorgang gilt U0=RI+UCU_0 = R\,I + U_C. Mit I=dQ/dtI = dQ/dt und UC=Q/CU_C = Q/C wird daraus RdQdt+QC=U0R\,\frac{dQ}{dt} + \frac{Q}{C} = U_0, die zentrale DGL des RC-Kreises.

Differenziert man diese Gleichung einmal nach tt (bei konstantem U0U_0), so fällt die rechte Seite weg und es bleibt RdIdt+I/C=0R\,\frac{dI}{dt} + I/C = 0, umgeformt dIdt=1τI(t)\frac{dI}{dt} = -\frac{1}{\tau}\,I(t). Die Steigung von I(t)I(t) ist dann proportional zum momentanen Wert selbst, und das ist genau die Definitionseigenschaft der Exponentialfunktion et/τe^{-t/\tau}.

Die Lösung I(t)=I0et/τI(t) = I_0\,e^{-t/\tau} fügt sich nach Integration wieder zu Q(t)=CU0(1et/τ)Q(t) = CU_0(1-e^{-t/\tau}) und UC(t)=U0(1et/τ)U_C(t) = U_0(1-e^{-t/\tau}). Beim Entladen verschwindet der U0U_0-Term (keine Quelle mehr), die DGL wird zu RdQ/dt+Q/C=0R\,dQ/dt + Q/C = 0, und es bleibt die reine Exponentialabnahme Q(t)=Q0et/τQ(t) = Q_0 e^{-t/\tau}.

DGL des Ladevorgangs
RdQdt+QC=U0R\,\frac{dQ}{dt} + \frac{Q}{C} = U_0
Folgt aus Maschenregel; Lo¨sung: Q(t)=CU0(1et/τ).\text{Folgt aus Maschenregel; Lösung: } Q(t) = CU_0(1-e^{-t/\tau}).
DGL des Entladevorgangs
RdQdt+QC=0dIdt=1τI(t)R\,\frac{dQ}{dt} + \frac{Q}{C} = 0\quad\Rightarrow\quad \frac{dI}{dt} = -\frac{1}{\tau}\,I(t)
Lo¨sung: Q(t)=Q0et/τ,  I(t)=I0et/τ.\text{Lösung: }Q(t) = Q_0 e^{-t/\tau},\;I(t) = I_0 e^{-t/\tau}.
1.0
1.0
Abb. 30: DGL, Steigung proportional zum Wert
Merke DGL dydt=yτ\frac{dy}{dt} = -\frac{y}{\tau} → immer Lösung et/τe^{-t/\tau}. Fundamentalform für exponentielle Prozesse.

2.5.4 Gespeicherte Energie

Um Ladung dqdq auf einen Kondensator mit momentaner Spannung U=q/CU' = q/C zu bringen, braucht man die Arbeit dW=UdqdW = U'\,dq. Integration von q=0q=0 bis q=Qq=Q liefert W=0QqCdq=Q22CW = \int_0^Q \frac{q}{C}\,dq = \frac{Q^2}{2C}. Äquivalente Formen: W=12CU2=12QU=Q2/(2C)W = \tfrac{1}{2}CU^2 = \tfrac{1}{2}QU = Q^2/(2C). Grafisch ist WW die Fläche unter der U(Q)U(Q)-Geraden.

Ein überraschendes und wichtiges Ergebnis für den Ladevorgang aus einer idealen Spannungsquelle U0U_0: die Quelle verrichtet insgesamt die Arbeit WQ=U0dq=U0Q=CU02W_Q = \int U_0\,dq = U_0\,Q = CU_0^2, doppelt so viel wie am Ende im Kondensator gespeichert ist. Genau die Hälfte (WC=12CU02W_C = \tfrac{1}{2}CU_0^2) landet im Feld des Kondensators, die andere Hälfte (WR=12CU02W_R = \tfrac{1}{2}CU_0^2) wird im Widerstand in Wärme umgewandelt.

Diese Verlusthälfte ist unabhängig von der Grösse von RR: ob man schnell oder langsam lädt, ist egal; bei R0R\to 0 wird die Zeit kurz, aber der Strom gross, und das Produkt I2RI^2R integriert über die Ladezeit ergibt immer dieselbe verlorene Energie. Der einzige Weg, das 12\tfrac{1}{2}-Problem zu umgehen, ist die Quelle langsam hochzufahren (variables U0(t)U_0(t)), was in idealen LC-Resonanzkreisen näherungsweise geschieht.

Die Energiedichte im E-Feld w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2 gilt universell, nicht nur für Plattenkondensatoren (siehe 2.7). Integration über das Volumen zwischen den Platten reproduziert 12CU2\tfrac{1}{2}CU^2.

Kondensator-Energie
W=12CU2=12QU=Q22CW = \tfrac{1}{2}CU^2 = \tfrac{1}{2}QU = \frac{Q^2}{2C}
Fla¨che unter der U(Q)-Geraden.\text{Fläche unter der }U(Q)\text{-Geraden.}
Energiebilanz beim Laden (50/50)
WQ=CU02,WC=12CU02,WR=12CU02W_Q = CU_0^2,\quad W_C = \tfrac{1}{2}CU_0^2,\quad W_R = \tfrac{1}{2}CU_0^2
Die Ha¨lfte der Quellarbeit geht als Wa¨rme im Widerstand verloren, unabha¨ngig von R.\text{Die Hälfte der Quellarbeit geht als Wärme im Widerstand verloren, unabhängig von }R.
Energiedichte im E-Feld
w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\,\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2
[w]=J/m3;  universell, nicht nur im Kondensator.[w] = \mathrm{J/m^3};\;\text{universell, nicht nur im Kondensator.}
1.0
Abb. 31: Gespeicherte Arbeit im Kondensator
Formel W
W=12CU2W = \tfrac{1}{2} C U^2
Gespeicherte Energie im Kondensator.

2.6.1 Dielektrizitätskonstante

Ein Dielektrikum ist ein nichtleitendes Material, das zwischen die Platten eines Kondensators gebracht werden kann. Es reduziert das elektrische Feld im Inneren auf E=E0/εr\vec{E} = \vec{E}_0/\varepsilon_r, wobei εr\varepsilon_r die dimensionslose relative Permittivität des Materials ist. Die Kapazität steigt entsprechend auf C=εrC0C = \varepsilon_r\,C_0; bei konstanter Spannung (angeschlossene Batterie) wächst die Ladung auf Q=εrQ0Q = \varepsilon_r\,Q_0.

Physikalischer Mechanismus: die Moleküle des Dielektrikums tragen entweder permanente Dipolmomente (polare Moleküle wie H2O\mathrm{H_2O}) oder werden vom externen Feld polarisiert (Elektronenwolke gegenüber dem Kern verschoben). In beiden Fällen richten sich die Dipole entlang E0\vec{E}_0 aus; die resultierende Polarisation P\vec{P} erzeugt an den Oberflächen gebundene Ladungen, die ein Gegenfeld EP\vec{E}_P erzeugen. Das Nettofeld im Material ist E=E0+EP\vec{E} = \vec{E}_0 + \vec{E}_P, das um εr\varepsilon_r kleiner ist als E0\vec{E}_0.

Formal: P=ε0χeE\vec{P} = \varepsilon_0\,\chi_e\,\vec{E} mit der elektrischen Suszeptibilität χe=εr1\chi_e = \varepsilon_r - 1 (dimensionslos). Je polarisierbarer das Material, desto grösser χe\chi_e und damit εr\varepsilon_r. Typische Werte: Luft εr1,00059\varepsilon_r\approx 1{,}00059, Glas 5\approx 5 bis 1010, Wasser 80\approx 80 (stark polar), BaTiO3\mathrm{BaTiO_3} (Ferroelektrikum) >1000>1000.

Die totale Permittivität des Materials ist ε=εrε0\varepsilon = \varepsilon_r\,\varepsilon_0, und alle Vakuum-Formeln bleiben gültig, wenn man ε0\varepsilon_0 durch ε\varepsilon ersetzt. Zum Beispiel wird der Plattenkondensator zu C=εA/d=εrε0A/dC = \varepsilon\,A/d = \varepsilon_r\,\varepsilon_0\,A/d.

Dielektrikum: E, C, Q
E=E0εr,C=εrC0,Q=εrQ0\vec{E} = \frac{\vec{E}_0}{\varepsilon_r},\quad C = \varepsilon_r\,C_0,\quad Q = \varepsilon_r\,Q_0
Q-Gleichung gilt bei U=const (Batterie angeschlossen).Q\text{-Gleichung gilt bei }U=\text{const (Batterie angeschlossen).}
Polarisation und Suszeptibilität
P=ε0χeE,χe=εr1\vec{P} = \varepsilon_0\,\chi_e\,\vec{E},\qquad \chi_e = \varepsilon_r - 1
P: Dipolmoment pro Volumen, [P]=C/m2.  χe: elektrische Suszeptibilita¨t (dimensionslos).\vec{P}\text{: Dipolmoment pro Volumen, }[P]=\mathrm{C/m^2}.\;\chi_e\text{: elektrische Suszeptibilität (dimensionslos).}
Totale Permittivität
ε=εrε0\varepsilon = \varepsilon_r\,\varepsilon_0
Alle Vakuum-Formeln gelten mit ε0ε auch im Dielektrikum.\text{Alle Vakuum-Formeln gelten mit }\varepsilon_0\to\varepsilon\text{ auch im Dielektrikum.}
1.0
Abb. 32: Dielektrikum reduziert das E-Feld
Notation Notation: Suszeptibilität
Wir: χe=εr1\chi_e = \varepsilon_r - 1 (elektrische Suszeptibilität, SI).
Im Gauss-System: χe(Gauss)=(εr1)/(4π)\chi_e^{\text{(Gauss)}} = (\varepsilon_r-1)/(4\pi), Faktor 4π4\pi kleiner.
Magnetisches Gegenstück: χm\chi_m (kommt in Kap. 3).
Definition εᵣ
Relative Permittivität (dimensionslos). Luft 1\approx 1, Glas 5\approx 51010, Wasser 80\approx 80, BaTiO3>1000\mathrm{BaTiO_3}>1000.
Definition Polarisation P
P\vec{P} = Dipolmoment pro Volumen. [P]=C/m2[P]=\mathrm{C/m^2}. Nicht verwechseln mit Leistung P=UIP=UI.

2.6.2 Verschiebungsdichte

Die elektrische Flussdichte (auch Verschiebungsdichte) ist D=ε0E+P=εrε0E\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E} + \vec{P} = \varepsilon_r\,\varepsilon_0\,\vec{E}, mit Einheit C/m2\mathrm{C/m^2}. Die erste Form zeigt den physikalischen Inhalt: D\vec{D} kombiniert das Feld im Vakuum (ε0E\varepsilon_0\vec{E}) mit der Materialpolarisation (P\vec{P}) zu einer Grösse, die nur von freien Ladungen auf den Platten erzeugt wird.

Die entscheidende Eigenschaft ist die Materialunabhängigkeit: ohne Dielektrikum ist D=ε0E0\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E}_0; mit Dielektrikum ist D=εrε0(E0/εr)=ε0E0\vec{D} = \varepsilon_r\,\varepsilon_0\cdot(\vec{E}_0/\varepsilon_r) = \varepsilon_0\,\vec{E}_0. Die freien Ladungen bleiben auf den Platten gleich, die polarisationsbedingten gebundenen Ladungen kompensieren sich mit der Reduktion von E\vec{E}.

Darauf aufbauend gibt es eine modifizierte Gauss-Variante, die nur freie Ladungen betrachtet: DdA=Qfrei\oint\vec{D}\cdot d\vec{A} = Q_{\text{frei}} bzw. D=ρfrei\nabla\cdot\vec{D} = \rho_{\text{frei}}. Diese Form ist praktisch, weil man die gebundenen Ladungen im Inneren des Dielektrikums nicht explizit kennen muss, um D\vec{D} auszurechnen.

Gebundene Ladungen entstehen dort, wo P\vec{P} divergiert oder Grenzflächen schneidet: eine Oberflächenladungsdichte σgeb=Pn^\sigma_{\text{geb}} = \vec{P}\cdot\hat{n} (Normalkomponente von P\vec{P}) und eine Volumendichte ρgeb=P\rho_{\text{geb}} = -\nabla\cdot\vec{P}. In homogen polarisiertem Material ist ρgeb=0\rho_{\text{geb}} = 0 und nur die Oberflächen tragen gebundene Ladung.

Verschiebungsflussdichte
D=ε0E+P=εrε0E\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E} + \vec{P} = \varepsilon_r\,\varepsilon_0\,\vec{E}
[D]=C/m2.  D ha¨ngt nur von freien Ladungen ab.[D]=\mathrm{C/m^2}.\;\vec{D}\text{ hängt nur von freien Ladungen ab.}
Gauss für D (nur freie Ladungen)
ADdA=QfreiD=ρfrei\oint_A \vec{D}\cdot d\vec{A} = Q_{\text{frei}}\quad\Longleftrightarrow\quad \nabla\cdot\vec{D} = \rho_{\text{frei}}
Praktische Form, wenn gebundene Ladungen nicht bekannt sind.\text{Praktische Form, wenn gebundene Ladungen nicht bekannt sind.}
Gebundene Ladungen
σgeb=Pn^,ρgeb=P\sigma_{\text{geb}} = \vec{P}\cdot\hat{n},\qquad \rho_{\text{geb}} = -\nabla\cdot\vec{P}
Oberfla¨chen- und Volumendichte der im Dielektrikum induzierten Ladungen.\text{Oberflächen- und Volumendichte der im Dielektrikum induzierten Ladungen.}
1.0
Abb. 33: Verschiebungsdichte D\vec{D}, materialunabhängig
Notation Notation: D vs E
E\vec{E}: elektrische Feldstärke, V/m\mathrm{V/m}.
D\vec{D}: elektrische Flussdichte, C/m2\mathrm{C/m^2}.
Im Vakuum: D=ε0E\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E} (einfach proportional).
In Materie: D=ε0E+P\vec{D} = \varepsilon_0\vec{E}+\vec{P} (unterscheidet freie und gebundene Ladungen).
Formel D-Feld
D=εrε0E\vec{D} = \varepsilon_r\,\varepsilon_0\,\vec{E}
Im Vakuum: D=ε0E\vec{D} = \varepsilon_0\,\vec{E}.
Merke Merke: D\vec{D} ist unabhängig vom Dielektrikum, E\vec{E} nicht.

2.6.3 Materialklassifikation

Drei Typen dielektrischer Materialien unterscheiden sich nach ihrer Abhängigkeit von Temperatur und Feldstärke. Alle drei erhöhen die Kapazität (εr>1\varepsilon_r > 1); die Art der Polarisation (und damit die Stabilität gegenüber thermischer Bewegung und äusserem Feld) ist für jede Klasse anders.

Linear dielektrisch: P=ε0χeE\vec{P} = \varepsilon_0\chi_e\vec{E} mit konstantem χe\chi_e. Die Molekül-Polarisierbarkeit dominiert; Beispiele Glas, Keramik. Paraelektrisch: permanente Dipole kämpfen gegen thermische Unordnung, daher χe(T)1/T\chi_e(T) \propto 1/T (Curie-Gesetz). Wasser ist das Paradebeispiel. Ferroelektrisch: spontane Ausrichtung unterhalb der Curie-Temperatur, Hysterese ähnlich wie bei Ferromagneten. Materialien wie BaTiO3\mathrm{BaTiO_3} nutzt man für Kondensatoren höchster Kapazität.

Klasse εr\varepsilon_r Abhängigkeit Beispiel
Linear dielektrisch ε>1\varepsilon > 1 temperatur- und feldunabhängig Glas, Keramik (εr5\varepsilon_r \approx 51010)
Paraelektrisch ε(T)\varepsilon(T) temperaturabhängig (1T\sim \frac{1}{T}) Wasser (εr80\varepsilon_r \approx 80)
Ferroelektrisch ε1\varepsilon \gg 1 temperatur- und feldabhängig, Hysterese BaTiO3\text{BaTiO}_3 (εr>1000\varepsilon_r > 1000)
Materialklassifikation dielektrischer Stoffe
1.0
Abb. 34: Materialklassifikation dielektrischer Stoffe
Definition Ferroelektrisch
Materialien mit Hysterese (z.B. BaTiO3\text{BaTiO}_3). Anwendung: Kondensatoren mit hoher CC.
Definition Curie-Gesetz
Paraelektrika: χe1/T\chi_e \propto 1/T. Bei Kühlung steigt die Suszeptibilität an; unterhalb der Curie-Temperatur wird das Material ferroelektrisch.

2.6.4 Effekt beim Einschieben

Beim Einschieben eines Dielektrikums hängt das Verhalten davon ab, was festgehalten wird. Zwei Grenzfälle decken das gesamte Spektrum ab: der Kondensator ist entweder von der Quelle isoliert (QQ bleibt konstant, UU kann sich anpassen) oder an die Batterie angeschlossen (UU bleibt konstant, QQ kann nachfliessen).

Isoliert (Q=constQ=\text{const}): CC steigt um εr\varepsilon_r, also sinkt U=Q/CU = Q/C um denselben Faktor auf U0/εrU_0/\varepsilon_r, und mit ihm das Feld E\vec{E}. Die gespeicherte Energie W=Q2/(2C)W = Q^2/(2C) nimmt um den Faktor εr\varepsilon_r ab; die fehlende Energie wurde für die Polarisation des Dielektrikums aufgewendet (das Dielektrikum wird in den Kondensator hineingezogen, eine Kraft verrichtet Arbeit).

An Batterie (U=constU=\text{const}): CC steigt um εr\varepsilon_r, also steigt Q=CUQ = CU um denselben Faktor und es fliesst zusätzliche Ladung nach. Die gespeicherte Energie W=12CU2W = \tfrac{1}{2}CU^2 nimmt um εr\varepsilon_r zu; die zusätzliche Energie liefert die Batterie, und sie verrichtet dabei Arbeit sowohl am Feld als auch beim Einziehen des Dielektrikums.

Diese Zwei-Fall-Betrachtung ist das Standardbeispiel, an dem man lernt, bei Kondensator-Aufgaben immer zuerst die Randbedingung zu prüfen. Verwechslung der beiden Regime ist eine der häufigsten Fehlerquellen in Prüfungen.

Abb. 35: Dielektrikum einschieben, QQ const vs UU const
Merke Isoliert vs Batterie: Unterschiedliche Randbedingungen → unterschiedliche Energiebilanz.

2.7.1 Verständnis vom Feld

In einem stromdurchflossenen Draht existiert ein sehr schwaches, aber nicht-verschwindendes E-Feld entlang der Leiterachse. Dieses Feld übt auf jedes Elektron die Kraft F=eE\vec{F} = -e\,\vec{E} aus (Minuszeichen wegen negativer Ladung); zwischen den Stössen mit den Gitterionen beschleunigt das Feld die Elektronen, und insgesamt entsteht eine mittlere Driftgeschwindigkeit gegen die Feldrichtung.

Konventionsgemäss zeigt das E-Feld von ++ nach - und die konventionelle Stromrichtung folgt dem E-Feld; tatsächlich aber bewegen sich die (negativen) Elektronen entgegen dazu. Diese Unterscheidung ist historisch bedingt und wirkt sich nur auf das Vorzeichen aus; die Physik bleibt konsistent.

Energetisch: das Feld verrichtet pro durchlaufener Spannung UU und pro transportierter Ladung QQ die Arbeit W=QUW = QU. Für ein einzelnes Elektron wird diese Arbeit an das Gitter abgegeben (Stösse) und erscheint als Wärme; das ist der mikroskopische Ursprung der Ohmschen Dissipation P=UIP = UI, die wir in 2.7.6 quantifizieren.

Kraft und Arbeit im Draht
F=eE,WQ=U\vec{F} = -e\,\vec{E},\qquad \frac{W}{Q} = U
e=1,60×1019C (positiver Zahlenwert);  Elektron hat Ladung e.e = 1{,}60\times 10^{-19}\,\mathrm{C}\text{ (positiver Zahlenwert);}\;\text{Elektron hat Ladung }-e.
Abb. 36: E-Feld im Draht verrichtet Arbeit an Elektronen
Merke Merke: Konventionelle Stromrichtung ist entgegengesetzt zur Elektronenbewegung.

2.7.2 Potential einer geladenen Kugel

Für eine leitende Kugel mit Radius RR und Gesamtladung QQ sitzt alle Ladung homogen auf der Oberfläche (elektrostatisches Gleichgewicht, siehe 2.1.5). Oberflächenladungsdichte σ=Q/(4πR2)\sigma = Q/(4\pi R^2), und σdA=Q\int\sigma\,dA = Q (trivial). Ausserhalb der Kugel wirkt die Konfiguration nach aussen wie eine Punktladung QQ im Zentrum; innerhalb gilt E=0\vec{E}=\vec{0}.

Für rRr\geq R ergibt sich damit: φ(r)=Q/(4πε0r)\varphi(r) = Q/(4\pi\varepsilon_0\,r), E(r)=Q/(4πε0r2)E(r) = Q/(4\pi\varepsilon_0\,r^2), und D(r)=Q/(4πr2)D(r) = Q/(4\pi r^2). Der Zusammenhang Er=dφ/drE_r = -d\varphi/dr liefert die 1/r21/r^2-Abnahme des Feldes aus der 1/r1/r-Abnahme des Potentials, was ein wiederkehrendes Motiv der gesamten Elektrostatik ist.

An der Oberfläche (r=Rr=R) hat das Potential den Wert φ(R)=Q/(4πε0R)\varphi(R) = Q/(4\pi\varepsilon_0 R); das ist zugleich das Potential der gesamten Kugel (innen E=0\vec{E}=\vec{0} heisst φ=const\varphi = \text{const}). Die Kapazität eines solchen isolierten Leiters gegen das Unendliche ist C=Q/φ(R)=4πε0RC = Q/\varphi(R) = 4\pi\varepsilon_0 R, wie in 2.4.7 hergeleitet.

Geladene Kugel
φ(r)=Q4πε0rE(r)=Q4πε0r2\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r} \quad\Big|\quad E(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r^2}
E=dφdrE = -\frac{d\varphi}{dr}
Abb. 37: φ(r)\varphi(r) und E(r)E(r) einer geladenen Kugel
Formel Kugel
φ(r)=Q4πε0r\varphi(r) = \frac{Q}{4\pi\varepsilon_0 \, r}
Gilt ausserhalb der Kugel (rRr \geq R).

2.7.3 Coulomb-Kraft zwischen zwei Ladungen

Das Coulomb-Gesetz F=14πε0Q1Q2r2r^\vec{F} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{Q_1 Q_2}{r^2}\,\hat{r} (bereits in 2.1.1 eingeführt) ist die Kraft, die zwei Punktladungen aufeinander ausüben. r^\hat{r} zeigt von Ladung 1 zu Ladung 2; gleichnamige Ladungen führen zu F\vec{F} parallel zu r^\hat{r} (Abstossung), ungleichnamige zu antiparalleler Kraft (Anziehung).

Der 1/r21/r^2-Abfall hat tief gehende Konsequenzen: er ist derselbe wie bei der Gravitation, und beide Kräfte sind konservativ (Potential 1/r\propto 1/r). Der numerische Vorfaktor 14πε08,99×109Nm2/C2\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\approx 8{,}99\times 10^9\,\mathrm{N\,m^2/C^2} macht die elektrische Kraft um etwa 104010^{40} mal stärker als die Gravitation zwischen zwei Elementarteilchen; deshalb dominiert die Elektrostatik die Struktur von Atomen und Molekülen.

Mit ε0=8,854×1012F/m\varepsilon_0 = 8{,}854\times 10^{-12}\,\mathrm{F/m} als Vakuum-Permittivität lässt sich die Kraft zwischen zwei Elementarladungen im Abstand 1010m10^{-10}\,\mathrm{m} (typische Atomgrösse) explizit ausrechnen: F=8,99×109(1,6×1019)2/(1010)22,3×108NF = 8{,}99\times 10^9\cdot(1{,}6\times 10^{-19})^2/(10^{-10})^2 \approx 2{,}3\times 10^{-8}\,\mathrm{N}. Für mikroskopische Systeme eine enorme Kraft, für Objekte unseres Alltags (Coulomb vs. Coulomb auf 1m1\,\mathrm{m}) sogar 9×109N\approx 9\times 10^9\,\mathrm{N}.

Coulomb-Kraft
F=14πε0Q1Q2r2r^\vec{F} = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{Q_1 Q_2}{r^2}\,\hat{r}
Q1Q2>0: Abstoßung (Fr^);  Q1Q2<0: Anziehung.Q_1 Q_2>0:\text{ Abstoßung (}\vec{F}\parallel\hat{r}\text{)};\;Q_1 Q_2<0:\text{ Anziehung.}
Abb. 38: Coulomb-Kraft zwischen zwei Ladungen
Formel Coulomb
F=14πε0Q1Q2r2F = \frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\,\frac{Q_1 Q_2}{r^2}
Manche Bücher schreiben k/r2k/r^2 mit k=1/(4πε0)k = 1/(4\pi\varepsilon_0); bei uns steht die Coulomb-Konstante immer explizit ausgeschrieben.

2.7.4 Arbeit im elektrischen Feld

Die Arbeit, die das elektrostatische Feld an einer Ladung qq verrichtet, wenn sie von AA nach BB verschoben wird, ist WAB=q(φAφB)=qUABW_{AB} = q(\varphi_A - \varphi_B) = qU_{AB}. Für infinitesimale Verschiebungen gilt dW=qUdQ/Q=UdQdW = qU\,dQ/Q = U\,dQ bei konstantem qq; bei zeitlichem Stromfluss ist dW=UIdtdW = UI\,dt.

Die Einheit [W]=VAs=VC=J[W] = \mathrm{V\cdot A\cdot s} = \mathrm{V\cdot C} = \mathrm{J} zeigt die Gleichwertigkeit mit der mechanischen Arbeit. Ein Coulomb, das 1V1\,\mathrm{V} Potentialdifferenz durchläuft, gewinnt oder verliert genau 1J1\,\mathrm{J} Energie.

Wegunabhängigkeit folgt aus dem Ringintegral Eds=0\oint\vec{E}\cdot d\vec{s}=0 für stationäre Felder (siehe 2.2.4). Die Arbeit W=qABEdsW = q\int_A^B\vec{E}\cdot d\vec{s} hängt nur von den Endpunkten ab, nicht vom gewählten Pfad. Jeder noch so verschlungene Weg zwischen zwei Äquipotentialflächen liefert dieselbe Arbeit.

Eine unmittelbare Konsequenz: verschiebt man eine Ladung auf einer geschlossenen Bahn, so ist die Gesamtarbeit Null (φA=φA\varphi_A = \varphi_A). Kinetische Energie kann das Feld nur übertragen, wenn der Weg Start und Ziel auf verschiedenen Äquipotentialflächen verbindet.

Arbeit
W=UQ=q(φAφB)W = U \, Q = q \, (\varphi_A - \varphi_B)
Wegunabha¨ngig (konservatives Feld)\text{Wegunabhängig (konservatives Feld)}
Abb. 39: Arbeit beim Verschieben einer Ladung
Merke Konservativ: Arbeit hängt nicht vom Weg ab.

2.7.5 Kinetik im E-Feld

Wird ein Elektron aus der Ruhe durch eine Spannungsdifferenz UU beschleunigt, so geht die elektrische Arbeit Wel=eUW_{\text{el}} = eU (mit e>0e>0 als Elementarladung) vollständig in kinetische Energie über (keine Reibung, keine Abstrahlung). Energieerhaltung: eU=12mev2eU = \tfrac{1}{2}m_e\,v^2, also v=2eU/mev = \sqrt{2eU/m_e}.

Zahlen: me=9,109×1031kgm_e = 9{,}109\times 10^{-31}\,\mathrm{kg}, e=1,602×1019Ce = 1{,}602\times 10^{-19}\,\mathrm{C}. Bei U=1000VU = 1000\,\mathrm{V} ergibt sich v1,87×107m/sv \approx 1{,}87\times 10^7\,\mathrm{m/s}, etwa 6%6\% der Lichtgeschwindigkeit. Oberhalb einiger kV\mathrm{kV} muss man relativistisch rechnen, weil die klassische Formel Ekin=12mv2E_{\text{kin}} = \tfrac{1}{2}mv^2 die Geschwindigkeit überschätzt.

Die Einheit Elektronenvolt wird in dieser Situation natürlich: 1eV=eU1\,\mathrm{eV} = eU bei U=1VU = 1\,\mathrm{V}, also 1eV=1,602×1019J1\,\mathrm{eV} = 1{,}602\times 10^{-19}\,\mathrm{J}. Das Elektron in obigem Beispiel hat also Ekin=1000eV=1keVE_{\text{kin}} = 1000\,\mathrm{eV} = 1\,\mathrm{keV} Energie; in Beschleunigern der Teilchenphysik erreicht man GeV\mathrm{GeV} bis TeV\mathrm{TeV}.

Anwendung Kathodenstrahlröhre (CRT): Elektronen werden in einer Elektronenkanone durch 10kV\approx 10\,\mathrm{kV} beschleunigt und treffen mit etwa 15c\tfrac{1}{5}c auf den Leuchtschirm. Diese Technik steuerte alle Röhrenfernseher bis zum Übergang auf Flachbildschirme.

Kinetik
eU=12mev2v=2eUmee \, U = \tfrac{1}{2} m_e \, v^2 \quad\Rightarrow\quad v = \sqrt{\frac{2 e U}{m_e}}
Energieerhaltung\text{Energieerhaltung}
1.0
Abb. 40: Elektronenbeschleunigung im E-Feld
Definition Elektron
me=9,109×1031kgm_e = 9{,}109\times 10^{-31}\,\mathrm{kg}, e=1,602×1019Ce = 1{,}602\times 10^{-19}\,\mathrm{C}.
Definition Elektronenvolt (eV)
1eV=1,602×1019J1\,\mathrm{eV} = 1{,}602\times 10^{-19}\,\mathrm{J}. Energie, die ein Elektron bei U=1VU=1\,\mathrm{V} Potentialdifferenz aufnimmt. Standard-Einheit in Atom- und Teilchenphysik.

2.7.6 Momentanleistung

Die Momentanleistung ist die zeitliche Änderung der Energie: P=dW/dtP = dW/dt. Aus dW=UdQ=UIdtdW = U\,dQ = U\,I\,dt folgt sofort P=UIP = UI, die fundamentale Leistungsformel für jeden elektrischen Zweipol. Einheit: [P]=W=VA=J/s[P] = \mathrm{W} = \mathrm{V\cdot A} = \mathrm{J/s}.

Für einen Ohmschen Widerstand (U=RIU = RI) lassen sich drei äquivalente Formen schreiben: P=UI=I2R=U2/RP = UI = I^2 R = U^2/R. Welche am bequemsten ist, hängt davon ab, welche Grössen bekannt sind: bei vorgegebenem Strom nutzt man I2RI^2 R, bei vorgegebener Spannung U2/RU^2/R.

Im Widerstand wird diese Leistung in Wärme umgewandelt (Joule-Erwärmung). Mikroskopisch: die Elektronen geben die aus dem E-Feld aufgenommene kinetische Energie bei Stössen an das Atomgitter ab, was sich als Temperaturanstieg bemerkbar macht. Diesen Effekt nutzen Heizwiderstände, Glühlampen und elektrische Sicherungen.

Am Kondensator ist die Leistung dagegen nicht dissipativ: P=UI=UdQ/dt=d(12CU2)/dtP = UI = U\,dQ/dt = d(\tfrac{1}{2}CU^2)/dt. Die Leistung fliesst in die Feldenergie und kann beim Entladen wieder entnommen werden. Das unterscheidet kapazitive von resistiven Lasten grundlegend.

Momentanleistung
P=dWdt=UIP = \frac{dW}{dt} = U\,I
[P]=W=VA=J/s.[P]=\mathrm{W}=\mathrm{V\cdot A}=\mathrm{J/s}.
Leistung am Ohmschen Widerstand
P=UI=I2R=U2RP = U\,I = I^2 R = \frac{U^2}{R}
Drei a¨quivalente Formen; nutze die, welche zu den bekannten Gro¨ßen passt.\text{Drei äquivalente Formen; nutze die, welche zu den bekannten Größen passt.}
1.0
Abb. 41: Momentanleistung im Widerstand
Formel Leistung
P=UIP = U \, I
Einheit: Watt (W\mathrm{W}).

2.7.7 Energie des E-Feldes

Im Plattenkondensator lässt sich die gespeicherte Energie sowohl global (W=12CU2=12ε0(A/d)U2W = \tfrac{1}{2}CU^2 = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0 (A/d)\,U^2) als auch lokal als Volumenintegral schreiben. Die lokale Sicht führt auf die Energiedichte w=12ε0E2w = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2 mit Einheit J/m3\mathrm{J/m^3}.

Das E-Feld selbst trägt Energie. Wo immer ein elektrisches Feld existiert (nicht nur zwischen Kondensatorplatten), herrscht auch eine Energiedichte ww, und die gesamte Energie folgt durch Integration: Wtot=wdV=12ε0E2dVW_{\text{tot}} = \int w\,dV = \int \tfrac{1}{2}\varepsilon_0\,|\vec{E}|^2\,dV.

Die äquivalenten Ausdrücke 12CU2\tfrac{1}{2}CU^2 und wdV\int w\,dV sind zwei Sichtweisen desselben Sachverhalts: ob man die Energie den Ladungen auf den Platten oder dem Feld zwischen ihnen zuschreibt, ist formell austauschbar. Physikalisch bedeutsam wird die Feld-Sicht erst bei elektromagnetischen Wellen, wo sich Energie im Vakuum fortpflanzt, ohne dass Ladungen am Weg beteiligt sind.

Im Dielektrikum wird die Energiedichte zu w=12ε0εrE2=12DEw = \tfrac{1}{2}\varepsilon_0\varepsilon_r\,|\vec{E}|^2 = \tfrac{1}{2}\,\vec{D}\cdot\vec{E}. Die zweite Form gilt allgemein und ist auch dann brauchbar, wenn D\vec{D} und E\vec{E} nicht exakt proportional sind (anisotrope Medien).

Energie des E-Feldes
W=12ε0AlU2=12CU2W = \tfrac{1}{2} \, \varepsilon_0 \, \frac{A}{l} \, U^2 = \tfrac{1}{2} C U^2
ρel=12ε0E2  [J/m3]\rho_{\text{el}} = \tfrac{1}{2} \varepsilon_0 E^2 \; [\mathrm{J/m^3}]
1.0
Abb. 42: Energie im E-Feld, Integral der Energiedichte
Notation Notation: W vs E
WW: Arbeit, Prozessgrösse (hängt von Pfad oder Randbedingung ab).
Ekin,EpotE_{\text{kin}}, E_{\text{pot}}: Zustandsgrössen (nur vom aktuellen Zustand).
Vorzeichen: W>0W > 0 = Arbeit vom System verrichtet; W<0W < 0 = Arbeit am System. Je nach Lehrbuch variiert die Konvention.
Merke Energie lebt im Feld. Integration der Energiedichte über das Volumen gibt die Gesamtenergie.

2.8.1 Definition des elektrischen Flusses

Der elektrische Fluss Φel\Phi_{\text{el}} misst, wie viel E-Feld durch eine Fläche tritt. Formal ist er das Flächenintegral Φel=AEdA\Phi_{\text{el}} = \int_A \vec{E}\cdot d\vec{A} über die Fläche AA, wobei das Flächenelement dA=n^dAd\vec{A} = \hat{n}\,dA einen Betrag (die Fläche) und eine Richtung (die Flächennormale n^\hat{n}) hat.

Für ein homogenes Feld und eine ebene Fläche vereinfacht sich das zu Φel=EAcosθ\Phi_{\text{el}} = EA\cos\theta, mit θ\theta dem Winkel zwischen E\vec{E} und n^\hat{n}. Die Extremfälle erklären die Physik: θ=0\theta=0 (Fläche senkrecht zum Feld) ergibt maximalen Fluss EAEA; θ=90°\theta=90° (Fläche parallel zum Feld) ergibt Φ=0\Phi=0, weil das Feld keine Feldlinie durch die Fläche schickt.

Anschaulich zählt der Fluss die Anzahl Feldlinien, die durch die Fläche treten, mit Vorzeichen je nach Richtung: Linien, die in Richtung von n^\hat{n} hindurchgehen, zählen positiv, entgegengesetzte negativ. Einheit: [Φel]=Vm=Nm2/C[\Phi_{\text{el}}] = \mathrm{V\cdot m} = \mathrm{N\cdot m^2/C}.

Für eine geschlossene Fläche wird das Integral mit \oint geschrieben und zählt netto, wie viele Feldlinien die Fläche verlassen (positiv) oder eintreten (negativ). Dieser Spezialfall führt direkt zum Satz von Gauss in 2.8.2.

Fluss (Definition)
Φel=AEdA=AEcosθdA\Phi_{\text{el}} = \int_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \int_A E\cos\theta\,dA
θ: Winkel zwischen E und Fla¨chennormale n^.\theta\text{: Winkel zwischen }\vec{E}\text{ und Flächennormale }\hat{n}.
Homogenes Feld, ebene Fläche
Φel=EAcosθ\Phi_{\text{el}} = E\,A\,\cos\theta
θ=0: maximaler Fluss EA;  θ=π/2: kein Fluss.\theta=0\text{: maximaler Fluss }EA;\;\theta=\pi/2\text{: kein Fluss.}
Abb. 43: Elektrischer Fluss durch eine Fläche
Definition Fluss Φ
„Anzahl Feldlinien durch Fläche". [Φ]=Vm[\Phi] = \mathrm{V \cdot m}.

2.8.2 Satz von Gauss

Der Gauss'sche Satz (bereits in 2.1.2 eingeführt) verknüpft den Fluss mit der eingeschlossenen Ladung: AEdA=Qeingeschl./ε0\oint_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = Q_{\text{eingeschl.}}/\varepsilon_0. Der gesamte elektrische Fluss durch eine geschlossene Fläche hängt ausschliesslich von der eingeschlossenen Gesamtladung ab; Form der Fläche, Position der Ladung innerhalb und Ladungen ausserhalb sind irrelevant.

Die Invarianz unter Deformation der Gauss-Fläche ist keine Vermutung, sondern Konsequenz des 1/r21/r^2-Abfalls des Punktladungsfeldes: dieser sorgt genau dafür, dass die Anzahl austretender Feldlinien für jede einhüllende Fläche konstant ist (siehe Argumentation in 2.1.2).

Wird die Ladung stattdessen als kontinuierliche Verteilung beschrieben, ersetzt man die eingeschlossene Summe durch ein Volumenintegral: Qeingeschl.=VρdVQ_{\text{eingeschl.}} = \int_V \rho\,dV. Die Gauss-Gleichung lautet dann AEdA=1ε0VρdV\oint_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_V \rho\,dV, eine Form, die direkt auf die differentielle Maxwell-Gleichung in 2.8.3 führt.

Praktische Anwendung: bei hoher Symmetrie wird E|\vec{E}| auf einer passenden Gauss-Fläche konstant, und das Integral reduziert sich auf eine Multiplikation. Die drei Standard-Symmetrien Kugel (Punktladung, Vollkugel, Kugelschale), Zylinder (Draht) und Ebene (Platte) wurden bereits in 2.1.4 bis 2.1.9 durchgerechnet.

Satz von Gauss
AEdA=1ε0VρdV=Qeingeschl.ε0\oint_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \frac{1}{\varepsilon_0}\int_V \rho\,dV = \frac{Q_{\text{eingeschl.}}}{\varepsilon_0}
Geschlossene Fla¨che; Φel ha¨ngt nur von Qeingeschl. ab.\text{Geschlossene Fläche; }\Phi_{\text{el}}\text{ hängt nur von }Q_{\text{eingeschl.}}\text{ ab.}
Abb. 44: Gauss'scher Satz, Flächenunabhängigkeit
Formel Gauss
AEdA=Qeingeschl.ε0\oint_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \frac{Q_{\text{eingeschl.}}}{\varepsilon_0}
Integralform des Satzes von Gauss.

2.8.3 Maxwell-Gleichung (Divergenz)

Aus der Integralform des Gauss-Satzes folgt via Divergenzsatz (Gauss-Ostrogradsky aus Analysis II) die differentielle Form: E=ρ/ε0\nabla\cdot\vec{E} = \rho/\varepsilon_0. Sie ist eine der vier Maxwell-Gleichungen und verknüpft lokal (an einem Punkt) die Divergenz des E-Feldes mit der dortigen Ladungsdichte.

Die Divergenz E\nabla\cdot\vec{E} misst die „Quellenstärke" des Feldes an einem Punkt: >0>0 bedeutet positive Ladung (Quelle, Feldlinien entspringen dort); <0<0 bedeutet negative Ladung (Senke, Feldlinien enden dort); =0=0 heisst quellenfrei. Letzteres gilt im Vakuum oder in Leiter-Innenbereichen, wo ρ=0\rho=0.

Herleitung aus der Integralform: nach dem Divergenzsatz gilt AEdA=VEdV\oint_A \vec{E}\cdot d\vec{A} = \int_V \nabla\cdot\vec{E}\,dV für jedes Volumen. Setzt man die Gauss-Gleichung rechts ein, erhält man VEdV=Vρ/ε0dV\int_V \nabla\cdot\vec{E}\,dV = \int_V \rho/\varepsilon_0\,dV. Da das für jedes Volumen gelten muss, müssen die Integranden punktweise übereinstimmen: E=ρ/ε0\nabla\cdot\vec{E} = \rho/\varepsilon_0.

Analog gilt D=ρfrei\nabla\cdot\vec{D} = \rho_{\text{frei}}: das D\vec{D}-Feld hat als Quellen ausschliesslich die freien Ladungen, unabhängig vom Dielektrikum. Das ist die in 2.6.2 erwähnte „modifizierte Gauss-Variante" in differentieller Form.

Maxwell-Gleichung (Differentialform)
E=divE=ρε0\nabla\cdot\vec{E} = \operatorname{div}\vec{E} = \frac{\rho}{\varepsilon_0}
Lokale Form des Gauss-Satzes; eine der vier Maxwell-Gleichungen.\text{Lokale Form des Gauss-Satzes; eine der vier Maxwell-Gleichungen.}
Gauss für D (Differentialform)
D=ρfrei\nabla\cdot\vec{D} = \rho_{\text{frei}}
Nur freie Ladungen treten als Quellen von D auf.\text{Nur freie Ladungen treten als Quellen von }\vec{D}\text{ auf.}
Abb. 45: Maxwell, divE=ρε0\operatorname{div} \vec{E} = \frac{\rho}{\varepsilon_0}
Notation Notation: Divergenz
Wir: E\nabla\cdot\vec{E} (Nabla-Skalarprodukt).
Auch üblich: divE\operatorname{div}\vec{E} (alle äquivalent).
In kartesischen Koordinaten: E=Ex/x+Ey/y+Ez/z\nabla\cdot\vec{E} = \partial E_x/\partial x + \partial E_y/\partial y + \partial E_z/\partial z.
Integralform via Divergenzsatz: EdA=EdV\oint\vec{E}\cdot d\vec{A} = \int\nabla\cdot\vec{E}\,dV.
Formel Maxwell-I
E=ρε0\nabla\cdot\vec{E} = \frac{\rho}{\varepsilon_0}
Erste Maxwell-Gleichung (Differentialform).
Querverweis → Divergenz (math)

2.8.4 Anwendung: Zylinder-Gauss-Fläche

Als konkrete Anwendung der Gauss-Methode: unendlich langer geladener Draht mit Linienladungsdichte λ\lambda. Die zylindrische Symmetrie (Translationsinvarianz entlang der Achse, Rotationsinvarianz um die Achse) erzwingt, dass E\vec{E} überall radial zur Drahtachse steht und dass E|\vec{E}| nur vom Abstand rr_\perp zur Achse abhängt.

Darauf passt als Gauss-Fläche ein koaxialer Zylinder mit Radius rr und Länge ll. Die beiden kreisförmigen Deckflächen tragen nichts bei, weil dort En^\vec{E}\perp\hat{n} ist und EdA=0\vec{E}\cdot d\vec{A} = 0. Die Mantelfläche dagegen hat En^\vec{E}\parallel\hat{n}, also EdA=EdA\vec{E}\cdot d\vec{A} = E\,dA; auf ihr ist E|\vec{E}| konstant und das Integral wird zu E2πrlE\cdot 2\pi r l.

Einsetzen in Gauss E2πrl=λl/ε0E\cdot 2\pi r l = \lambda l/\varepsilon_0 und auflösen liefert E(r)=λ/(2πε0r)E(r) = \lambda/(2\pi\varepsilon_0\,r). Das Feld fällt mit 1/r1/r, nicht mit 1/r21/r^2 wie bei der Punktladung; der Unterschied liegt in der Skalierung der Gauss-Fläche (Zylindermantel r\propto r vs. Kugelfläche r2\propto r^2).

Draht via Gauss
E2πrl=λlε0E=λ2πε0rE \cdot 2\pi r l = \frac{\lambda l}{\varepsilon_0} \quad\Rightarrow\quad E = \frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 \, r}
1r-Abha¨ngigkeit\frac{1}{r}\text{-Abhängigkeit}
Abb. 46: Zylinder-Gauss-Fläche am Draht
Merke Symmetriewahl: Zylindrische Symmetrie → zylindrische Gauss-Fläche.

2.8.5 Dipol in Gauss-Sphäre

Ein Dipol (Ladungen +Q+Q und Q-Q im Abstand ll) liegt vollständig innerhalb einer Gauss-Kugel. Die eingeschlossene Nettoladung ist Qeingeschl.=+Q+(Q)=0Q_{\text{eingeschl.}} = +Q + (-Q) = 0, und deshalb liefert Gauss sofort Φel=Qeingeschl./ε0=0\Phi_{\text{el}} = Q_{\text{eingeschl.}}/\varepsilon_0 = 0.

Das Feld des Dipols selbst ist aber keineswegs null; es hat eine komplizierte Struktur mit Feldlinien, die von +Q+Q ausgehen und auf Q-Q enden. Wie vereinbart sich das mit Φel=0\Phi_{\text{el}}=0? Jede einzelne Feldlinie, die die Gauss-Kugel verlässt, tritt an anderer Stelle wieder ein; der ausfliessende und einfliessende Fluss kompensieren sich exakt: Φaus+Φein=0\Phi_{\text{aus}} + \Phi_{\text{ein}} = 0.

Dieses Beispiel illustriert eine zentrale Eigenschaft von Gauss: das Integral zählt nur die Netto-Ladung im Inneren, unabhängig davon, wie kompliziert die Einzelfelder der beteiligten Ladungen aussehen. Wandert man den Dipol so, dass eine Ladung aus der Kugel hinausgeschoben wird, springt Φ\Phi auf ±Q/ε0\pm Q/\varepsilon_0.

Dipol im Gauss-Volumen
Φ=Qencε0=0\Phi = \frac{Q_{\text{enc}}}{\varepsilon_0} = 0
Dipol hat Qnet=0\text{Dipol hat } Q_{\text{net}} = 0
Abb. 47: Dipol in Gauss-Sphäre, Φ=0\Phi = 0
Merke Qnet=0Q_{\text{net}} = 0 im Volumen → Fluss =0= 0, egal wie das Feld verläuft.

2.8.6 Ladung innen & aussen

Nun zwei Ladungen in unterschiedlicher Lage zur Gauss-Fläche: +Q+Q am Ursprung (innerhalb einer Gauss-Kugel um den Ursprung), Q-Q bei grossem xx (ausserhalb der Kugel). Der Fluss durch die Kugel beträgt Φel=Qeingeschl./ε0=+Q/ε0\Phi_{\text{el}} = Q_{\text{eingeschl.}}/\varepsilon_0 = +Q/\varepsilon_0, beeinflusst nur von der inneren Ladung.

Die äussere Ladung erzeugt zwar auch Feldlinien, die die Gauss-Kugel durchqueren; diese treten aber an einer Seite ein und an der anderen wieder aus, und ihre Beiträge zum Flächenintegral heben sich exakt auf. Dasselbe Argument wie beim Dipol (s8-5), nur in anderer Konfiguration.

Diese Universalität ist die Stärke des Gauss-Satzes für Anwendungen: man braucht nie das globale Feld zu kennen, nur die innerhalb der Gauss-Fläche liegende Nettoladung. Bei hoher Symmetrie (Kugel, Zylinder, Ebene) folgt E\vec{E} daraus direkt; asymmetrische Aussenladungen beeinflussen den Gesamtfluss nicht, wohl aber die lokale Feldrichtung.

Abb. 48: Ladung innen und aussen, nur QencQ_{\text{enc}} zählt
Merke Merke: Gauss zählt nur eingeschlossene Ladungen. Aussenliegende Ladungen sind für den Fluss irrelevant.

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